【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅太阳能电池领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池、分片、组件及光伏系统。
技术介绍
1、现有的背接触电池中,一者,为了后续方便切割成分片(一般切割为1/2分片或1/4分片),在待切割位置往往会设置一个中央gap区,该中央gap区的宽度一般达到150~200μm。此外,由于硅片在形成正面结构时容易出现绕镀,在其边缘也会设置边缘gap区,其宽度达到40~100μm。
2、中央gap区和边缘gap区存在挤占了电池片的有效面积,降低了其转换效率。具体的,中央gap区和边缘gap区一般仅设置钝化层(alox、sinx等),也即该区域不会产生载流子,也无法收集,这降低了转换效率。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题在于,提供一种背接触太阳能电池、分片、组件及光伏系统,其可提升表面钝化效果,提升转换效率。
2、为了解决上述问题,本专利技术公开了一种背接触太阳能电池,其包括:
3、硅基底,其包括相对设置的受光面和背光面;所述背光面包括第一预设区域
...【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背光面还包括至少一个靠近所述硅基底边缘设置的第四预设区域,所述第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域组成主基面,所述第四预设区域位于所述主基面的侧部;
3.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背光面还设有至少一个靠近所述硅基底边缘设置的第四预设区域,所述第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域组成主基面,所述第四预设区域位于所述主基面的侧部;
4.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述硅基底在第一方向
...【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背光面还包括至少一个靠近所述硅基底边缘设置的第四预设区域,所述第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域组成主基面,所述第四预设区域位于所述主基面的侧部;
3.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述背光面还设有至少一个靠近所述硅基底边缘设置的第四预设区域,所述第一预设区域、第二预设区域、第三预设区域组成主基面,所述第四预设区域位于所述主基面的侧部;
4.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,所述硅基底在第一方向的中线落入所述第三预设区域中。
5.如权利要求1~4任一项所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
6.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
7.如权利要求1所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
8.如权利要求5所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
9.如权利要求3所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
10.如权利要求6所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
11.如权利要求7所述的背接触太阳能电池,其特征在于,还包括:
12.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:王永谦,杨新强,陈刚,
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。