【技术实现步骤摘要】
本公开的示例涉及半导体器件，特别是涉及包括包含超结结构的晶体管的半导体器件。
技术介绍
1、其中栅极电极被布置在与沟道区相邻的沟槽中的晶体管被广泛使用。正在进行尝试以进一步改进这些晶体管的特性。
2、本公开针对包括可以有益地应用于例如碳化硅衬底的改进的晶体管的半导体器件。
技术实现思路
1、根据示例，一种半导体器件包括晶体管。晶体管包括形成在半导体衬底中的多个栅极沟槽。栅极沟槽使半导体衬底图案化为在第一水平方向上延伸的脊。脊分别被布置在两个相邻的栅极沟槽之间。晶体管还包括栅极电极，其被布置在栅极沟槽中的至少一个中。晶体管还包括：源极区，其是第一导电类型的并且电耦合到源极端子；沟道区，其包括第二导电类型的掺杂部分；第一导电类型的电流扩散区；以及电耦合到漏极端子的漏极区。源极区、沟道区和部分电流扩散区被布置在脊中。栅极电极与沟道区和电流扩散区绝缘，其中源极区的宽度对应于脊的宽度。半导体器件还包括超结结构，其被布置在与沟道区相比距源极区更大的距离处。超结结构包括第一导电类型的第一补偿...
【技术保护点】
1.一种半导体器件(10)，其包括晶体管，晶体管包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件(10)，其中沟道区(122)还包括在脊(114)的中心部分中的第一导电类型的掺杂部分(121)。
3.如权利要求2所述的半导体器件(10)，其中第一补偿区(118)被电耦合到在脊(114)的中心部分中的第一导电类型的掺杂部分(121)。
4.如权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件(10)，还包括第二导电类型的屏蔽部分(116)，其相应地被布置在栅极沟槽(111)下方，屏蔽部分(116)具有比第二补偿区(119)更高的掺杂浓度，其中第二补偿...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件(10)，其包括晶体管，晶体管包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件(10)，其中沟道区(122)还包括在脊(114)的中心部分中的第一导电类型的掺杂部分(121)。
3.如权利要求2所述的半导体器件(10)，其中第一补偿区(118)被电耦合到在脊(114)的中心部分中的第一导电类型的掺杂部分(121)。
4.如权利要求1至3中的任何一项所述的半导体器件(10)，还包括第二导电类型的屏蔽部分(116)，其相应地被布置在栅极沟槽(111)下方，屏蔽部分(116)具有比第二补偿区(119)更高的掺杂浓度，其中第二补偿区(119)被电耦合到屏蔽部分(116)。
5.如前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，其中超结结构(117)在第一水平方向上延伸。
6.如权利要求1至4中的任何一项所述的半导体器件(10)，其中超结结构(117)在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。
7.如前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，其中源极区(124)沿着第一水平方向连续地延伸。
8.如权利要求1至6中的任何一项所述的半导体器件(10)，其中源极区(124)被沿着第一水平方向分段成源极区分段(109)，其中所述半导体器件还包括在相邻的源极区分段(109)之间的体接触部分(123)，体接触部分(123)被电耦合到源极端子(130)。
9.如前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，还包括第一导电类型的漂移区(127)，其被布置在超结结构(117)和漏极区(125)之间。
10.如前述要求中的任何一项所述的半导体器件(10)，其中栅极沟槽(111)在第一水平方向上连续地延伸。
11.如权利要求10所述的半导体器件(10)，还包括：接触凹槽(106)，其在第一水平方向上行进并且延伸通过栅极沟槽(111)；被布置在接触凹槽(106)中的金属层，其被电耦合到源极端子(130)和第二导电类型的第二补偿区(119)。
12.如权利要求11所述的半导体器件(10)，其中接触凹...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·赫尔，C·林德兹，R·埃尔佩尔特，B·费舍尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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