提供了一种极紫外掩模，极紫外掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠件和位于反射多层堆叠件上的图案化的吸收层，其中薄膜框架附接至衬底。在一些实施例中，使用薄膜框架和衬底之间的粘合剂，将薄膜框架附接至衬底。在一些实施例中，薄膜框架位于反射多...

一种形成半导体结构的方法包括：在衬底的第一区域上方形成第一纳米结构；在衬底的第二区域上方形成第二纳米结构；在第一纳米结构周围形成第一栅极结构；用隔离区域替换第二纳米结构；以及在衬底上方形成密封环，其中，密封环位于第一区域和第二区域之间。...

本申请涉及一种抗蚀剂底层组合物。具体地，提供了一种用于极紫外光刻的抗蚀剂底层组合物。所述组合物包含第一聚合物、第二聚合物、产酸剂和溶剂。所述第一聚合物包含第一聚合物主链和经由第一接头共价键合至所述第一聚合物主链的抗蚀刻性增强单元。所述抗...

提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包括衬底、具有接合至衬底的半导体管芯的半导体封装组件、附接至衬底的盖子以及位于半导体封装组件和盖子之间的第一复合金属部件。第一复合金属部件可以包括具有第一材料的第一金属部件和具有第二材料的...

本公开实施例提供了半导体结构的实施例。根据本公开实施例的半导体结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一源极部件、第一漏极部件和第一栅极结构。第二晶体管包括第二源极部件、第二漏极部件和第二栅极结构。第一源极部件电耦合至第二源极部...

本公开实施例描述了具有沟道延伸结构的半导体器件。半导体器件包括位于衬底上的沟道结构。沟道结构包括中心部分和端部部分。半导体器件还包括包裹沟道结构的中心部分的栅极结构、位于衬底上并且与沟道结构的端部部分相邻的源极/漏极(S/D)结构以及位...

描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括设置在互连结构和衬底中的硅通孔(TSV)、位于围绕TSV的互连结构中的保护结构以及围绕保护结构的有源区域。保护结构和有源区域之间的间隔没有伪器件。本申请的实施例还涉及半导体封装件。

本发明提供一种半导体装置的制造方法。根据一些实施例，第一装置晶片透过晶片上晶片接合来接合至第一载体，且附加的装置晶片可于后续接合至第一装置晶片。然后将支撑晶片接合至最顶部的装置晶片，然后移除第一晶片。然后，接合的晶片结构可被单一化成单独...

本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括存储器阵列，该存储器阵列包括布置在多行上的多个存储器单元，所述行分别包括多个字线、耦合到偶数字线的第一组存储器单元和耦合到奇数字线的第二组存储器单元。偶数字线设置在垂直形成在衬底...

本揭露揭示一种用于制备图案化光阻剂层的方法及光阻剂溶液，特别是揭示用于改良在EUV光学微影中使用的一金属光阻剂的硬度的多种方法及多种材料。描述与该金属光阻剂一起使用的多种不同添加剂类型。这些添加剂可作为多种现有溶液的部分应用至该光阻剂，...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括沉积栅极介电层于基底的第一区域上方的第一纳米结构上以及沉积第二纳米结构于基底的第二区域上；沉积一第一功函数金属(work function metal,WFM)层于第一及第二纳米结构上方；沉积一...

本技术实施例的各种实施例涉及影像感测装置，其包括半导体主体内的锗传感器和形成在半导体主体的背侧中的超透镜。超透镜被构造为将红外光聚焦在锗传感器上，并且可能具有比等效微透镜更低的轮廓。可选地，超透镜与微透镜组合以获得所需的焦距。超透镜或超...

本技术提供一种半导体封装件。半导体封装件至少包括重分布层、半导体管芯、互连块和模制化合物。半导体管芯设置在重分布层上，互连块设置在重分布层上并在半导体管芯旁边。互连块包括绝缘包封体和贯穿绝缘包封体的贯穿绝缘体通孔。设置在重分布层上的模制...

一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，集成电路器件包括衬底，衬底包括分别与多个彩色像素相关联的多个第一光电探测器组和分别与多个相位检测像素相关联的多个第二光电探测器组。第一光电探测器组和第二光电探测器组中的每个包括一个或多...

本技术提供一种半导体元件，包括：介电层；以及光调制器结构，在所述介电层中且包括：第一区域，包括第一掺杂剂类型；以及第二区域，在所述第一区域的顶面上且包括第二掺杂剂类型，其中所述第一区域和所述第二区域对应所述光调制器结构的PN结二极管。光...

一种集成电路结构，包括锗基通道材料、氧化锗界面层、氧氮化锗层、高k介电层、及一栅极金属层。锗基通道材料在一基板上方。氧化锗界面层在该锗基通道材料上方。氧氮化锗层在该氧化锗界面层上方。高k介电层在该氧氮化锗层上方。栅极金属层在该高k介电层...

本公开涉及形成具有低寄生电容和降低的损伤的隔离区域。一种结构，包括：多个半导体区域、彼此直接相邻的第一栅极堆叠和第二栅极堆叠、位于第一栅极堆叠中的第一鳍隔离区域、和位于第二栅极堆叠中的第二鳍隔离区域。第一鳍隔离区域和第二鳍隔离区域具有侧...

本公开涉及源极/漏极电介质结构及其制造方法。本公开描述了具有源极/漏极电介质的半导体器件。该半导体器件包括：沟道结构，在衬底上；电介质结构，在衬底上并且与沟道结构相邻；以及外延结构，在电介质结构的顶表面上。外延结构与沟道结构接触。

热电冷却器(TEC)定位为将热量从半导体芯片上的热点移动出去并且朝着介电衬底移动。这种热管理方法当与掩埋轨和背侧电源输送结合使用时特别有效。TEC可以位于IC封装件的两个器件层之间的包含焊料连接的层中。可选地，TEC可以位于半导体衬底上...

揭示多种半导体装置，半导体装置包括由移除虚设栅极结构形成的沟槽区中的凹陷隔离区。凹陷隔离区在通道区中可允许较大鳍片高度。金属栅极结构可形成于凹陷隔离区及鳍片上。