一种具有开口的盖结构包括衬底，例如印刷电路板(PCB)板。芯片组件设置在衬底上。所述芯片组件包括IC、耦合到IC的多个电子存储器组件以及在上视图中周向环绕IC与电子存储器组件的模塑化合物材料。热界面材料(TIM)设置在芯片组件上方。TI...

本技术提供一种电子元件，其中开关和电容器在不使用额外掩模的情况下共享相同的工艺流程进行制造。第一电容电极与相变材料(phase change material，PCM)开关的一个元件并行地在相同的金属层中使用相同的掩模形成(例如，PCM...

本公开涉及形成具有低寄生电容和减少损伤的隔离区域。一种方法包括：形成多个半导体区域；形成多个栅极堆叠，其中多个栅极堆叠在多个半导体区域的第一部分上；以及蚀刻多个栅极堆叠以在多个栅极堆叠中形成多个开口。多个开口包括在第一栅极堆叠中的第一开...

一些实施例涉及一种具有导电结构的集成电路结构的电路探针测试方法。该方法包括提供集成电路结构，该集成电路结构包括衬底、设置在衬底之上的介电结构以及设置在介电结构的上表面之上的多个电极。该方法还包括在介电结构与多个电极之上形成第一介电层、刻...

用于设计集成电路的方法包括透过至少一个IR降分析辨识呈现等于或大于IR降阈值的电压(IR)降的第一电路构件；基于时序余裕阈值，将所述多个时序路径分成第一子集的时序路径和第二子集的时序路径，基于时序余裕阈值；以及加入第二电路构件，第二电路...

本申请公开了调谐晶体管阈值电压的处理。一种方法包括：基于半导体区域的第一部分形成源极/漏极区域，基于半导体区域的第二部分形成高k电介质层，在高k电介质层上形成偶极子膜，使用包含氮气和氢气的工艺气体对偶极子膜执行处理工艺，执行驱入工艺以将...

一种集成电路包括互补晶体管、第一源极/漏极接触、第二源极/漏极接触与互连结构。互补晶体管包括具有第一源极/漏极区的第一晶体管与具有第二源极/漏极区的第二晶体管。第二晶体管在垂直方向上位于第一晶体管上方。第二晶体管在垂直于垂直方向的第一方...

一种形成半导体装置的方法。此方法包括在一基板的一通道区上方形成一高介电常数栅极介电层；在高介电常数栅极介电层上方沉积一功函数金属层；在功函数金属层上方形成一氮化钛盖体，其中氮化钛盖体包括一个或多个充氧区域；在氮化钛盖体上沉积一硅盖层；在...

一种光阻溶液及图案化光阻层的制备方法，揭露了用于提高EUV微影中使用的金属光阻剂的硬度的方法和材料。金属交联剂和金属光阻剂一起使用。交联剂包含金属核和多个配体。配体可包含至少一个乙烯基或至少一个乙炔基；或包含丙烯酸酯；或包含肉桂酸酯；或...

一种方法包括：通过在浸没式冷却器的第一容器中并且通过浸没式冷却器的第一容器来冷却器件以形成冷却器件；通过将工艺工具与所述冷却器件进行信息传输来执行半导体工艺；确定所述冷却器件是否处于可从所述浸没式冷却器移除的状态；对于所述冷却器件不处于...

本揭示内容提供一种半导体结构，包括基板上的第一半导体鳍及第二半导体鳍、在第一半导体鳍上的第一栅极结构、在第二半导体鳍上的第二栅极结构，以及在第一半导体鳍及第二半导体鳍之间及在第一栅极结构及第二栅极结构之间的栅极隔离结构，其中栅极隔离结构...

提供一种半导体结构。根据本技术的一些实施方式的一种半导体结构包括基板，在基板上方并沿一方向纵向延伸的鳍片结构，鳍片结构包括沿着此方向夹在第一末端部分与第二末端部分之间的中间部分，包覆于中间部分的通道区上方的栅极结构，以及沿着此方向夹持中...

本申请的实施例提供了存储器器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一晶体管，包括第一栅极结构；第二晶体管，包括第二栅极结构，第二栅极结构设置在第一栅极结构之上并且耦合到第一栅极结构；第三栅极结构；第四栅极结构，第四栅极结...

本公开的一个方面涉及半导体器件制造的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成晶体管；在晶体管上方形成第一金属层和上覆的第二金属层；在上覆的第二金属层上方沉积散热层；以及将散热层退火至阈值温度以上的温度。在阈值温度以下实施散热层的沉积。在退火...

一种方法包括：提供具有衬底、鳍状基质从衬底突出、隔离结构位于鳍状基质的侧壁上以及外延特征位于鳍状基质之上的结构。衬底位于结构的背侧处，且外延特征位于结构的前侧处。该方法还包括：从结构的背侧凹蚀衬底以暴露出隔离结构的底面，形成背侧介电层以...

一种半导体器件结构，包括：第一电极，上覆于衬底；节点电介质，接触第一电极并且包括介电常数大于30的介电材料；以及第二电极，接触节点电介质。第一电极和第二电极中的第一者包括第一催化金属板，第一催化金属板与节点电介质直接接触，并且具有不大于...

形成半导体结构的方法包括：在导电焊盘上方形成导电柱并且导电柱连接到导电焊盘，分配第一聚合物层，其中第一聚合物层接触导电柱的侧壁的下部，固化第一聚合物层，以及在第一聚合物层上分配第二聚合物层。第二聚合物层接触导电柱的侧壁的上部。然后固化第...

在具有再分布结构的半导体封装件中，两个或多个半导体管芯连接至再分布结构的第一侧，并且密封剂围绕两个或多个半导体管芯。集成无源器件(IPD)连接在再分布结构的第二侧上。第二侧与第一侧相对，并且IPD电耦合至再分布结构。互连器件连接在再分布...

一种半导体结构包括：第一衬底，具有器件区域和围绕器件区域的环区域；第一互连结构，位于第一衬底上方，第一互连结构包括第一通孔塔和第二通孔塔；第一接合层，位于第一互连结构上方并且包括第一金属接合部件；第二接合层，位于第一接合层上方并且包括与...

本公开实施例涉及集成芯片。集成芯片包括布置在具有彼此堆叠的多个层间介电(ILD)层的介电结构内的多个导电互连件。热管垂直延伸穿过多个ILD层。高热导率层夹置在多个ILD层的相邻层之间。高热导率层从多个导电互连件中的一个或多个上方横向延伸...