【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例内容是有关于一种形成半导体装置的方法，特别是有关于一种可使氮化钛盖体具有充氧区域的半导体装置的形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业已经历了快速的成长。集成电路(ic)的材料与设计的技术发展已经创造了集成电路的多个世代，且各个世代具有相较于前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，功能性密度(例如单位芯片面积的互连装置的数量)已普遍地增加，同时伴随着几何尺寸(即，集成电路部件的尺寸以及/或大小以及/或这些集成电路部件之间的间距)的缩小。一般而言，缩小尺寸仅受到以不断减小的几何尺寸光刻定义集成电路部件的能力的限制。
2、随着部件尺寸持续减小，改进的通道迁移率(即，通道中的载子迁移率)在例如存储器或逻辑元件的集成电路元件中变得越来越重要。存储器元件例如静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)会不断缩小为更小的技术节点(例如，<10nm)。在这些尺寸下，sram迁移率和存储器单元的导通电流可能会低于预期...
【技术保护点】
1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
3.如权利要求1所述的方法，其中该氮化钛盖体的形成包括：
4.如权利要求3所述的方法，其中该第一氮化钛盖层在真空密封的物理气相沉积腔室中沉积，其中该氧处理包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中沉积该第一氮化钛盖层使得该第一氮化钛盖层的一顶表面具有一粗糙表面。
6.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的方法，
8.如权利要求6所述的方法，其中该氮化钛盖体具有位于一顶...
【技术特征摘要】
1.一种形成一半导体装置的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
3.如权利要求1所述的方法，其中该氮化钛盖体的形成包括：
4.如权利要求3所述的方法，其中该第一氮化钛盖层在真空密封的物理气相沉积腔室中沉积，其中该氧处理包括：
5.如权利要求4所述的方法，其中沉积该第一氮化钛盖层使得该第一氮化钛盖层的一顶表面具有一粗糙表面。
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：李尚融，李致葳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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