一种形成封装结构的方法包括在晶圆的半导体衬底上形成集成电路器件，在晶圆中形成电压调节器，以及形成金属层作为晶圆的一部分。晶体管形成在比金属层离更远离半导体衬底处。晶体管包括连接到电压调节器的第一源极/漏极区，并且电压调节器被配置为将从第...

本公开提供了一种用于光刻系统的方法，该光刻系统包括向热管理控制器提供反馈的一个或多个热传感器。热管理控制器向诸如热交换器和气体喷口的热调节组件提供指令，以提供光刻系统中使用的中间掩模的冷却。本公开的实施例还涉及极紫外光刻的方法、执行光刻...

本技术提供一种集成电路。一种集成电路包括在第一方向上延伸的第一类型主动区结构及第二类型主动区结构以及在第二方向上延伸的第一端子导体及第二端子导体。所述集成电路亦包括位于第一金属层中的第一电力短截线及第二电力短截线以及位于第二金属层中的第...

本文描述的一些实施方式包括用于形成包括半导体电阻器结构的半导体装置的技术和设备。半导体电阻器结构(例如，低阻抗的薄膜电阻器结构)可包括具有近似矩形形状(例如，长宽比小于约1)的电阻层。半导体电阻器结构包括连接到电阻层的接触结构、连接到接...

提供了一种半导体器件和制造方法，其中半导体器件连接在半导体衬底上方。半导体器件内的密封环延伸至包括接合层内的第一接合金属，以及接合至半导体衬底上方的第二接合金属。这样的密封环提供了更完整的保护，防止裂纹和分层。

公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一伪外延层和第二伪外延层，设置在第一基底结构和第二基底结构中；第一有源外延层和第二有源外延层，设置在第一伪外延层和第二伪外延层上；第一有源纳米结构层，设置为与第一有源外延层相邻并...

描述了一种接合半导体芯片的方法。该方法包括以下步骤。半导体芯片被设置在接合装置的卡盘台上。驱动接合装置的接合头以从支撑台拾取第一半导体芯片，其中第一半导体芯片具有第一翘曲量。驱动接合头以将第一半导体芯片移动至位于半导体晶片的第一接合区域...

实施例包括方法，方法包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，第一互连结构中包括介电层和金属化图案。方法也包括：在第一互连结构上方形成再分布通孔和再分布焊盘，再分布通孔和再分布焊盘电耦合至第一互连结构的金属化图案中的至少一个，再分布通孔和再...

方法包括：在器件管芯的半导体衬底上形成功能电路，其中，功能电路位于器件管芯的功能电路区中；在半导体衬底上方形成无源器件，其中，无源器件位于器件管芯的无源器件区中；在功能电路区中和器件管芯的表面处形成第一多个接合焊盘，其中，第一多个接合焊...

本技术实施例涉及半导体结构。一种半导体结构包含多个半导体裸片、放置于所述多个半导体裸片中的第一接缝结构，及放置于所述多个半导体裸片的至少两个邻近半导体裸片中的第二接缝结构。所述半导体裸片经布置以形成列或行。所述第一接缝结构与所述半导体裸...

一种光子装置，包括形成于第一水平面上方的第一光子内连线、形成于相对于第一水平面垂直位移的第二水平面上方的第二光子内连线、以及连接至第一及第二光子内连线的光子耦合器。光子耦合器用以使从第一光子内连线入射至光子耦合器的第一光子信号由光子耦合...

本技术提供一种半导体管芯封装件。本文描述的一些实施方式提供形成在半导体装置的基底中的电感器装置，半导体装置包括集成电路装置。电感器装置可以使用包括在基底中的一个或多个导体层。此外，电感器装置可以电耦合到集成电路装置。通过在半导体装置的基...

本公开涉及一种半导体装置结构，所述结构包括第一源极/漏极部件、设置在第一源极/漏极部件上方的第一层间介电层、延伸穿过第一层间介电层且与第一源极/漏极部件电性接触的第一导电部件，其中第一导电部件相对于半导体装置结构的平面图具有L形轮廓。所...

本技术提供一种半导体封装。形成半导体封装的方法包括形成重构晶圆(reconstructed wafer)，包括在第一载体上方形成凸块下金属(Under‑Bump Metallurgy，UBM)，在UBM上方形成包括多条重分布线并电连接到...

本申请公开了具有纳米片晶体管的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一堆叠层和第二堆叠层之间形成牺牲层，第一堆叠层包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层，第二堆叠层包括交替堆叠的第三半导体层和第四半导体层，其中牺牲层包括半导体金属氧...

本技术提供一种封装件结构。所述封装件结构可利用桥接管芯将一个管芯电连接到另一管芯以及电连接到与桥接管芯相邻的至少一个附加管芯。桥接管芯与至少一附加管芯之间的间隙的高宽比透过将桥接管芯减薄至比所述至少一个附加管芯更薄来控制。封装件结构可利...

本技术提供一种封装结构，包括：第一封装组件，包括：介电层，包括顶表面；含硅介电层，位于所述介电层的上方且接触所述介电层，其中所述含硅介电层具有小于约100埃的第一厚度；以及第二封装组件，与第一封装组件的所述含硅介电层接合。本技术可以降低...

本申请的实施例提供了空间光调制器器件及其形成方法。空间光调制器器件包括位于衬底上的空间光调制器单元阵列。每个空间光调制器单元包括：层堆叠，其包括相变材料板、位于相变材料板下方的间隔件介电材料板和位于间隔件介电材料板下方并包括外侧壁的金属...

本发明实施例中，一种铁电随机存取内存(FeRAM)胞元可包括位于FeRAM胞元的源极/漏极区的电子障壁层与金属胶层之间的氧化物插入层。氧化物插入层可改善电子障壁层的热稳定性且使电子障壁层在高处理温度下的解离及/或向外扩散最小化或防止所述...

本申请的实施例提供了存储器中计算电路及其操作方法。存储器中计算电路包括局部计算单元。响应于识别出输入数据元素和权重数据元素为第一数据类型，每个局部计算单元可以提供第一和，第一和包括(i)第一输入数据元素与第一权重数据元素的第一乘积；以及...