本公开提供一种半导体结构。在一实施例中，范例性半导体结构包括基板上方的源极/漏极特征；沿第一方向纵向延伸且相邻于源极/漏极特征的金属栅极结构；沿实质上垂直于第一方向的第二方向纵向延伸的栅极隔离结构；以及电性耦接至源极/漏极特征，且包括源...

本公开的实施例提供一种半导体装置的制造方法。具体来说，本公开的实施例提供一种用于将填充元素掺入至栅极结构之中的高介电常数介电层的方法。此填充元素减少了高介电常数介电层之中的空位，从而改善了阈值电压控制以及装置性能。

本技术提供一种半导体结构。半导体结构包括晶片电路结构、至少一个第一半导体管芯、至少一个第一支撑结构及包封体。所述至少一个第一半导体管芯在半导体结构的装置区中设置于晶片电路结构之上且电性连接至晶片电路结构。所述至少一个第一支撑结构在半导体...

一种半导体封装体，包含封装基底，第一半导体晶粒电性及机械性耦接至封装基底，第二半导体晶粒电性及机械性耦接至封装基底，非导电膜形成于第一半导体晶粒与封装基底之间，以及毛细管底部填充材料形成于第二半导体晶粒与封装基底之间。非导电膜可形成于封...

一种堆叠半导体结构，包括底部电路结构具有一或多个第一半导体装置、第一互连结构、第一重分布导孔及第一接合垫；顶部晶粒电路结构具有第二半导体装置、第二互连结构、互连导孔、第二重分布导孔及第二接合垫；集成电路顶部金属线在顶部晶粒电路结构上并落...

本技术提供一种实施例的反相器电路和半导体电路。反相器电路包括：栅极电极、栅介电层、第二导电型半导体层、第一源极电极、第二源极电极以及共享漏极电极。栅极电极形成于层间介电层之上。栅介电层形成于栅极电极之上。第一导电型半导体层形成于栅介电层...

本揭露实施例涉及一种封装结构，其包括正面氧化物层、背面氧化物层、正面氮化物层、背面氮化物层、增强层以及电路结构。正面氧化物层设置于第一基板上。背面氧化物层设置于第一基板下。正面氮化物层设置于正面氧化物层上。背面氮化物层设置于背面氧化物层...

实施例包括混合互补场效应晶体管和单极晶体管及其形成方法。在实施例中，一种半导体结构包括：第一半导体纳米结构；第二半导体纳米结构；第一隔离结构，插入在第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构之间；第一源极/漏极区域，从第一半导体纳米结构的端...

本揭露是关于一种具有包含量子点材料的光电二极管的光电装置。本文中所描述的一些实施方式包含一种用于在微光环境中使用的影像侦测系统的互补金属氧化物半导体影像感测器装置。互补金属氧化物半导体影像感测器装置包含用于侦测近红外光波及/或短波红外光...

本公开的各个实施例提供了半导体器件结构，包括：源极/漏极部件，设置在衬底上方；多个半导体层，垂直堆叠在衬底上方并且与源极/漏极部件接触；栅电极层，围绕多个半导体层的每个的部分；第一介电间隔件，与多个半导体层的最顶部半导体层的第一侧接触；...

一种封装结构，包括电路基底、半导体封装、热界面材料结构、镀覆层、第一金属间化合物、第二金属间化合物以及盖结构。半导体封装设置于电路基底上，且包括中央区域与周边区域。热界面材料结构设置在半导体封装的中心区域和周边区域上。镀覆层设置于热界面...

本发明提供一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括具有前侧以及后侧的衬底、设置在所述衬底的所述前侧上的源极/漏极结构、包括用导电材料填充的沟槽的背侧通孔，所述沟槽暴露在所述衬底的背侧处、延伸穿过所述衬底、以及电耦合至所述源极/漏极结构...

本技术的实施例提供一种具有曝光工具的极紫外光刻系统，包括：用于在所述曝光工具内的掩模上自动安装护膜框架的贴片机；具有至少部分不透明的图案的透明膜；光源被配置为照射所述透明膜使得所述图案投射到所述护膜的表面上以产生反射图案；数字影像传感器...

一种半导体处理方法、运输箱及半导体处理系统。运输箱配置以容纳多个晶圆以利用于运输晶圆。运输箱包含多个槽，各槽配置以接收并保持相应的晶圆。运输箱包含感测器系统，感测器系统配置以测量槽内或装载到槽中期间的晶圆的位置或方位。运输箱包含通信系统...

本技术提供一种包括设置于半导体工件上的测试线结构的集成芯片。测试线结构包括设置于半导体工件内及/或半导体工件上的多个光学输入/输出(I/O)结构。测试线结构更包括位于半导体工件上的多个电性输入/输出结构。所述多个光学输入/输出结构与所述...

描述一种高压元件结构。在一些实施例中，该结构包括设置在衬底中的第一导电类型的深井区，设置在深井区上的掺杂区；环绕深井区与掺杂区的第一导电类型的井区；设置在井区上的源极区，设置在掺杂区上的漏极区以及设置在井区上的第一导电类型的第一拾取区。...

本技术提供一种元件结构及接合总成，元件结构包括电压调节器电路，其包括：第一半导体管芯包含脉冲宽度调变(PWM)电路且连接到产生脉冲电压输出的PWM电压输出节点；电感器的串联连接与并联连接电路，所述并联连接电路包括电容器‑开关总成的并联连...

提供了接触结构及其形成方法。根据本公开的形成接触结构的方法包括：接收包括嵌入在第一介电层中的导电部件的工件；用含氮等离子体处理工件；在处理之后，在工件上方沉积第一蚀刻停止层(ESL)；在第一ESL上方沉积第二ESL；在第二ESL上方沉积...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本文描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构；在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料；在第一半导体材料上沉积第二半导体材料；在第二半导体材料之上沉积层间电介质层；在层间电介...

互补场效应晶体管(CFET)器件包括：鳍；第一沟道区域，垂直设置在鳍上方；第二沟道区域，垂直设置在第一沟道区域上方；隔离结构，位于第一沟道区域和第二沟道区域之间；第一蚀刻停止层(ESL)，位于隔离结构的下表面上；第二ESL，位于隔离结构...