【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体结构。
技术介绍
1、在缩小半导体装置及电子组件的尺寸方面的发展使得可向给定体积中整合更多的装置及组件且达成各种半导体装置及/或电子组件的高集成密度。
技术实现思路
1、本技术提供一种半导体结构,包括:晶片电路结构;至少一个第一半导体管芯,设置在所述半导体结构的装置区中的所述晶片电路结构之上且电性连接至所述晶片电路结构;至少一个第一支撑结构,设置在所述半导体结构的周边区中的所述晶片电路结构之上;以及包封体,设置于所述晶片电路结构之上且包封所述至少一个第一半导体管芯及所述至少一个第一支撑结构,其中所述包封体在所述半导体结构的边缘处的厚度小于所述包封体在所述半导体结构的所述装置区内的厚度。
2、本技术提供一种半导体结构,包括:晶片电路结构;至少一个第一半导体管芯,在所述半导体结构的装置区中设置于所述晶片电路结构之上且电性连接至所述晶片电路结构;多个支撑结构,在所述半导体结构的周边区中设置于所述晶片电路结构之上,其中所述多个支撑结构相对于所述半导体结构的中心而以点
...【技术保护点】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,其中所述晶片电路结构在所述半导体结构的所述边缘处的厚度大于所述晶片电路结构在所述半导体结构的所述装置区内的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,其中所述包封体包括第一部分及堆叠于所述第一部分上的第二部分,所述第一部分夹置于所述晶片电路结构与所述第二部分之间,且所述第一部分包封所述至少一个第一半导体管芯,
4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,其中所述至少一个第一半导体管芯包括多个第一半导体管芯,且所述至少一个第二半导体
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,其中所述晶片电路结构在所述半导体结构的所述边缘处的厚度大于所述晶片电路结构在所述半导体结构的所述装置区内的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构,其特征在于,其中所述包封体包括第一部分及堆叠于所述第一部分上的第二部分,所述第一部分夹置于所述晶片电路结构与所述第二部分之间,且所述第一部分包封所述至少一个第一半导体管芯,
4.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在于,其中所述至少一个第一半导体管芯包括多个第一半导体管芯,且所述至少一个第二半导体管芯电性连接至所述多个第一半导体管芯中的两个第一半导体管芯,
5.根据权利要求3所述的半导体结构,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:张任远,郭富强,吴亦筑,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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