【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、将半导体器件用于各种电子应用中，例如，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层，以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。
2、半导体行业通过不断减小最小部件尺寸来不断改善各个电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的降低，出现了应该解决的额外问题。
技术实现思路
1、本专利技术的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，该方法包括：形成从衬底垂直延伸的鳍，鳍包括下半导体纳米结构、上半导体纳米结构和设置在下半导体纳米结构和上半导体纳米结构之间的伪半导体纳米结构；穿过上半导体纳米结构、伪半导体纳米结构和下半导体纳米结构在鳍中蚀刻第一凹槽和第二凹槽，蚀刻在第一凹槽形成上半导体纳米结构的第一侧壁并且在第一凹槽中形成下半导体纳米结构的第二侧壁，蚀刻在第二...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述第一下半导体结构、所述第二下半导体结构和所述第二上半导体结构同时发生。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
8.一种形成半导体结构的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，生长所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域
<...【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述第一下半导体结构、所述第二下半导体结构和所述第二上半导体结构同时发生。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，还...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑞乾，王振印，林威呈，林高正，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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