提供一种运输第一载体的方法。所述方法包括：因应于处理站被排程用于接收由第一载体承载的半导体晶圆，在第一载体由第一运输载具的第一载体支撑组件支撑时使第一运输载具自第一轨道经由第一结合部而移动至第二轨道。所述方法包括在第一运输载具与第二轨道...

在本公开的一个实施例中，提供了一种半导体装置。该方法包括形成纳米结构通道区，形成环绕纳米结构通道区的栅极开口，在栅极开口中的纳米结构通道区的暴露表面上形成氧化层，在氧化层上沉积扩散阻障层，在该纳米结构通道区上沉积第一介电层，对扩散阻障层...

在半导体器件的顶视图中，半导体器件包括集成电路和集成电路周围的一个或多个保护环。一个或多个保护环中的至少一个保护环包括衬底中的有源区域、在半导体器件的顶视图中在第一方向上延伸并且在半导体器件的顶视图中布置在第二方向上的第一多个细长导电结...

根据一例子，一种改良型等离子强化原子层沉积方法包括于基材上进行沉积制程的多个第一沉积循环，以及在进行多个第一沉积循环后，进行等离子强化层沉积循环。等离子强化层沉积循环包含等离子处理制程。多个第一层沉积循环的进行不包含等离子处理制程。

本揭露的一些实施例描述一种具有人造场板的半导体装置。半导体装置包括基板上的第一氮化镓层、第一氮化镓层上的氮化铝镓层、及氮化铝镓层上的第二氮化镓层。第一与第二氮化镓层包括不同类型的掺杂剂。半导体装置进一步包括与第二氮化镓层接触的栅极接触结...

本揭露提供一种最佳化微影扫描器装置的扫描速度的系统及方法和增大微影装置产量的方法。最佳化微影扫描器的扫描速度的方法包括：接收对应于待形成于一关联晶圆上的多个场列的一工艺设计布局，且判定该微影扫描器的一预设机器常数。该多个场列中的每一者接...

一种(用于多芯片中介层的)互连结构包括：位于相应地相对于第一和第二垂直方向定义位置中的第一位置的通孔堆叠，通孔堆叠包括在垂直于第一和第三方向的第三方向上彼此堆叠的通孔；过渡层中的过渡区段，在第一位置与通孔堆叠中最上面的一个通孔重叠并耦接...

一种集成电路结构包含基材、底部纳米结构晶体管以及顶部纳米结构晶体管。底部纳米结构晶体管于基材上方，且包含第一通道层、第一栅极结构以及多个第一源极/漏极磊晶结构。第一栅极结构环绕第一通道层。第一源极/漏极磊晶结构于第一通道层的相对两侧上。...

本技术提供一种集成电路。一些实施例是有关于一种包括半导体衬底的集成电路。在横截面图中，硅化物结构设置于半导体衬底之上。在横截面图中，介电结构直接接触硅化物结构的上表面。在横截面图中，金属结构直接接触介电层的上表面，使得硅化物结构及金属结...

本技术提供一种半导体结构包括基底和设置在基底中的金属层。半导体结构包括设置在金属层上方的介电层。半导体结构还包括设置在介电层上方的半导体层，其中金属层延伸穿过半导体层。半导体层包括二维光栅耦合器和一对从二维光栅耦合器横向延伸的一对锥形结...

本发明针对具有源极/漏极外延堆叠件的半导体结构，该源极/漏极外延堆叠件具有低熔点顶层和高熔点底层。例如，半导体结构包括设置在鳍上的栅极结构和形成在鳍的未由栅极结构覆盖的部分中的凹槽。此外，半导体结构包括设置在凹槽中的源极/漏极外延堆叠件...

一种形成半导体封装件的方法包括在第一器件管芯的半导体衬底的前侧上形成第一集成电路，形成从半导体衬底的背侧延伸到半导体衬底中的沟槽电容器，以及形成穿透半导体衬底的第一贯通孔和第二贯通孔。沟槽电容器电耦合在第一贯通孔和第二贯通孔之间。第二器...

在实施例中，器件包括：下部集成电路管芯；上部集成电路管芯，利用电介质至电介质接合区域并且利用金属至金属接合区域接合至下部集成电路管芯；第一缓冲层，位于上部集成电路管芯周围，第一缓冲层包括具有第一热导率的缓冲材料，缓冲材料具有柱状晶体结构...

本发明提供一种用于半导体封装件的薄膜电阻器结构，包括：电阻器片；以及位于电阻器片的相对端处的两个着陆垫，每个着陆垫周围有侧壁分隔件。薄膜电阻器结构可以在产线后段(BEOL)工艺制造。侧壁分隔件通过减少制造过程中可能发生的、且会在后续处理...

本公开提供一种光阻成分以及形成光阻图案和酸可裂解共聚物的方法。光阻成分包括从共聚物的主链或侧臂中的寡聚物所形成的酸可裂解共聚物。各个寡聚物包括酸不稳定基团、具有酸离去取代基的第一共聚单体，以及具有供氢取代基的第二共聚单体或具有极性取代基...

本发明提供一种内存单元结构，包括晶体管结构和电容器结构，其中电容器结构包括氢吸收层。氢吸收层吸收氢，这防止或减少氢扩散到晶体管结构的下面的金属氧化物通道中的可能性。以此方式，氢吸收层最小化和/或降低金属氧化物通道中氢污染的可能性，这可以...

一些实施例涉及一种存储器单元，包括：衬底上的写入晶体管，其包括第一栅极端子、第一源极/漏极区和耦合到储存节点的第二源极/漏极区；衬底上的第一读取晶体管，其包括耦合到储存节点的第二栅极端子和具有第一电容的栅极电介质；以及电容器，其与所述第...

本公开的实施例提供了具有垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)的半导体器件结构。CFET通过接合其上形成有半导体堆叠件的两个衬底来形成。使用晶圆接合技术在半导体堆叠件之间形成接合结构。本公开的实施例使选择不同N/P沟道特性的灵活性成为可能...

一种制造半导体结构的方法包括：形成管芯，形成所述管芯包括：形成从半导体衬底的前侧延伸到所述半导体衬底中的第一贯通孔和第二贯通孔。所述第一贯通孔和所述第二贯通孔分别连接到所述管芯中的第一集成电路器件和第二集成电路器件。执行背侧研磨工艺以露...

提供了一种增益单元存储器器件，其包括位于衬底上的写入晶体管；位于衬底上的读取晶体管；电容器，具有第一电极、节点电介质和第二电极，其中，第一电极电连接到写入晶体管的第一源极/漏极区和读取晶体管的栅电极；以及外围电路，被配置为在增益单元存储...