半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种内存单元结构，包括晶体管结构和电容器结构，其中电容器结构包括氢吸收层。氢吸收层吸收氢，这防止或减少氢扩散到晶体管结构的下面的金属氧化物通道中的可能性。以此方式，氢吸收层最小化和/或降低金属氧化物通道中氢污染的可能性，这可以使得内存单元结构能够实现低电流泄漏并降低数据损坏和/或内存单元结构的故障，等等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置及其形成方法。

技术介绍

1、内存装置用于多种应用。内存装置由通常布置成多行和多列的阵列的多个内存单元组成。一种类型的内存单元包括动态随机存取内存(dram)单元。在某些应用中，与其他类型的基于内存单元的内存装置相比，可以选择基于dram单元的内存装置，因为dram单元相对于其他类型的内存单元，例如静态随机存取内存(sram)单元或其他类型的内存单元，具有较低的成本、较小的面积以及保存更大量数据的能力。

技术实现思路

1、本专利技术的实施例提供一种半导体装置。此半导体装置包括多个后段介电层。此半导体装置包括内存单元结构，位于多个后段介电层中，包括：晶体管结构；电容器结构，位于晶体管结构上方，包括：第一底部电极层、位于第一底部电极层上方的第二底部电极层、氢吸收层，位于第一底部电极层和第二底部电极层之间、位于第二底部电极层上方的介电层、以及位于介电层上方的顶部电极层。

2、本专利技术的实施例提供一种半导体装置。此半导体装置包括多个后段介电层。此半导体装置包括内存单元结构，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电容器结构包括深沟槽电容器结构；以及

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管结构包括单通道晶体管结构，所述单通道晶体管结构包括：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管结构包括双通道晶体管结构，所述双通道晶体管结构包括：

5.一种半导体装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述氢吸收层包括一种或多种金属氢氧化物材料。

7.根据权利要求5所述的半导体装置...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电容器结构包括深沟槽电容器结构；以及

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管结构包括单通道晶体管结构，所述单通道晶体管结构包括：

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管结构包括双通道晶体管结构，所述双通道晶体管结构包括：

5.一种半导体装置，其特征在于，包括：

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱于建，周承翰，郑雅云，张雅淳，吕文琳，张育恺，廖珮君，吴忠纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：