一种存储器器件，包括多个字线、位线、存储器阵列、控制电路和电流求和电路。存储器阵列包括耦合到位线的多个存储器单元。多个存储器单元中的每个包括耦合到所述多个字线之中的相应字线的存取晶体管。控制电路被配置为相应地通过所述多个字线向所述存取晶...

根据本公开的半导体器件包括第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元包括用于n型晶体管的第一有源区和用于p型晶体管的第二有源区。第一有源区具有第一宽度。第二有源区具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。第二存储器单元包括用于n型晶体管的...

液体冷却系统包括位于散热器板和散热器之间的热电冷却器(TEC)，以及热电发生器(TEG)，位于由来自芯片封装件的热量驱动TEG的位置处。芯片封装件由液体冷却系统的冷板冷却，并且TEC由TEG控制。TEG可以位于芯片封装件和冷板之间，或者...

本公开涉及一种图像传感器集成芯片(IC)结构。图像传感器IC结构包括分别设置在衬底内的像素阵列的多个像素区内的多个图像感测元件。层间介电(ILD)结构设置在衬底的表面上，并围绕一个或多个互连件。多个三维(3D)电容器布置在多个像素区中的...

揭露一种半导体装置。半导体装置包含：基材；在基材上的晶体管，其中晶体管包含源极、漏极及栅极；多层内连接结构，其中多层内连接结构配置以提供源极、漏极及栅极电性连接，且多层内连接结构具有多个内连接层；以及在该多层内连接结构中的金属‑绝缘体‑...

本技术提供一种集成芯片及集成电路。集成芯片包括：第一电极，由金属制成；第二电极，设置于第一电极之上；铁电层，位于第一电极与第二电极之间；以及界面层，将铁电层与第一电极隔开，所述界面层包含半导体材料且被配置成将第一电极与铁电层间隔开。

一种量子存储器装置，包括波导、存储器单元以及控制电路。波导设置以空间性地局限光子路径于其中；存储器单元包括微环共振器、频率调整器、与量子存储器材料部分，其中微环共振器的第一部分平行于波导的部分，频率调整器设置为调整微环共振器的第二部分之...

半导体存储器器件包括：多个晶体管，沿着衬底的主表面设置；多个金属化层，包括多个金属轨道并且设置在衬底的主表面上方；以及多个存储器单元，形成在一个或多个金属层内。多个晶体管中的至少一个电耦接至多个存储器单元。多个存储器单元中的每个包括存取...

一种形成半导体结构的方法包括：形成金属焊盘，在金属焊盘上沉积钝化层，以及平坦化钝化层，从而使得钝化层包括平坦的顶表面。该方法还包括蚀刻钝化层以在钝化层中形成开口，其中，金属焊盘暴露于开口，以及形成导电通孔，导电通孔包括位于开口中的下部和...

一种记忆体装置及操作记忆体的方法，操作记忆体的方法包括：提供多个MRAM单元，及将所述多个MRAM单元分割成多个群组，所述多个群组包括一第一群组及一第二群组。将该第一群组的一第一MRAM单元自一第一状态写入至一第二状态，且将该第二群组的...

提供了一种封装结构。封装结构包括衬底、接合到衬底的管芯、设置在所述封装组件和所述衬底上方的盖、以及夹在所述封装组件和所述盖之间的界面结构，该界面结构包括设置在所述至少一个管芯的顶面的拐角处的第一热界面材料和设置在所述至少一个管芯的所述顶...

封装件包括管芯。管芯包括：衬底；电组件，位于衬底的前侧处；互连结构，位于衬底的前侧处并且电耦合至电组件，其中，互连结构的最上部导线是铝线；以及通孔，从最上部导线延伸至衬底的背侧。封装件还包括：模制材料，位于管芯周围；第一再分布结构(RD...

一种存储器电路，包括阵列、第一缓冲器、第二缓冲器、获取电路和控制器。获取电路可以被配置为在第一周期期间将第一数据元素的第一子集写入沿阵列中的第一行布置的多个处理元件(PE)的第一子集，从第一缓冲器中提取第一数据元素的第一子集，并临时储存...

提供了封装结构及其形成方法。封装结构包括第一再分布结构以及附接至第一再分布结构的第一侧并且彼此间隔开的第一封装组件和第二封装组件。封装结构还包括附接至第一再分布结构的第二侧的第一半导体管芯以及密封剂。封装结构还包括形成在第一半导体管芯上...

一些实施例涉及一种集成电路(IC)器件，包括：薄膜电阻器(TFR)，位于衬底上面并且包括在横向于衬底的顶面的方向上堆叠的第一膜和第二膜。第一膜包括在温度范围内具有负电阻温度系数(TCR)的第一材料。负TCR导致第一膜的电阻随着第一膜的温...

一种电容器及其制造方法及具有包含电容器的互连结构的半导体装置，互连结构可包括指定结构的电容器及/或包围电容器的保护环。电容器可包括具有扩展宽度的弓形区，弓形区准许包含含有空气或另一气体的孔隙。可替代地，电容器可为金属‑绝缘体‑金属电容器...

根据本公开实施例的结构包括：底部金属部件；半导体衬底，设置在底部金属部件上方；互连结构，设置在半导体衬底上方；顶部金属部件，位于互连结构上方；通孔结构，从顶部金属部件的底面延伸穿过互连结构和半导体衬底以接触底部金属部件的顶面。通孔结构包...

提供了封装结构和用于形成封装结构的方法。封装结构包括通过多个第一焊料凸块接合至再分布结构的含芯片结构。封装结构也包括接合至中介层芯片的含存储器结构。中介层芯片通过多个第二焊料凸块接合至再分布结构。封装结构还包括衬底，并且再分布结构位于衬...

一种器件包括：第一光纤阵列，包括第一光纤和第一磁性构件；第二光纤阵列，包括第二光纤和第二磁性构件；以及连接件，包括邻近开口的第三磁性构件，其中开口从连接件的第一侧延伸至连接件的第二侧，其中第一光纤阵列的第一磁性构件对应于第一侧附近的第三...

描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括：栅极介电层，设置在衬底上方；栅电极层，设置在栅极介电层上方；以及第一栅极间隔件，邻近栅极介电层设置。第一栅极间隔件包括面向栅极介电层的内表面和与内表面相对的外表面，并且第一栅极间隔件包括从内表...