半导体器件及其形成方法技术

技术编号:44988629 阅读:21 留言:0更新日期:2025-04-15 17:05
一种器件包括:第一光纤阵列,包括第一光纤和第一磁性构件;第二光纤阵列,包括第二光纤和第二磁性构件;以及连接件,包括邻近开口的第三磁性构件,其中开口从连接件的第一侧延伸至连接件的第二侧,其中第一光纤阵列的第一磁性构件对应于第一侧附近的第三磁性构件,其中第二光纤阵列的第二磁性构件对应于第二侧附近的第三磁性构件。本公开的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及半导体器件及其形成方法


技术介绍

1、电信号传导和处理是用于信号传输和处理的一种技术。近年来,光信号传导和处理已经用于越来越多的应用,特别是由于使用光纤相关应用进行信号传输。

2、光信号传导和处理通常与电信号传导和处理结合,以提供全面的应用。例如,光纤可以用于长距离信号传输,而电信号可以用于短距离信号传输以及处理和控制。因此,形成了集成长距离光学组件和短距离电子组件的器件,用于光信号和电信号之间的转换以及光信号和电信号的处理。期望这些长距离光学组件和短距离电子组件中的每个的改进。


技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种半导体器件,包括:第一光纤阵列,包括多个第一光纤和多个第一磁性构件;第二光纤阵列,包括多个第二光纤和多个第二磁性构件;以及连接件,包括邻近开口的多个第三磁性构件,其中,所述开口从所述连接件的第一侧延伸至所述连接件的第二侧,其中,所述第一光纤阵列的所述第一磁性构件对应于所述第一侧附近的第三磁性构件,其中,所述第二光纤阵列的所述第二磁性构件对应于所述第二侧附近的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一磁性构件位于所述第一光纤阵列的相对的垂直侧壁上,并且所述第三磁性构件位于所述开口的相对的垂直侧壁上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个第三磁性构件包括位于所述第一侧附近的第一组第三磁性构件和位于所述第二侧附近的第二组第三磁性构件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一光纤阵列具有与所述第二光纤阵列不同的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述连接件是环形的。

6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一磁性构件位于所述第一光纤阵列的相对的垂直侧壁上,并且所述第三磁性构件位于所述开口的相对的垂直侧壁上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述多个第三磁性构件包括位于所述第一侧附近的第一组第三磁性构件和位于所述第二侧附近的第二组第三磁性构件。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一光纤阵列具有与所述第二光纤阵列不同的厚度。

【专利技术属性】
技术研发人员:黄泰钧斯帝芬·鲁苏
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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