本申请公开了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍之上形成栅极结构；在鳍之上围绕栅极结构形成层间电介质(ILD)层；在栅极结构中在鳍的相对侧上形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，以将栅...

本公开的实施例涉及一种形成半导体结构的方法包括：在第一半导体沟道区域和第二半导体沟道区域上形成第一栅极电介质和第二栅极电介质，第二半导体沟道区域与第一半导体沟道区域重叠；在第一栅极电介质上形成第一偶极膜，其中第一偶极膜包括第一类型的第一...

本发明的一些实施例提供了一种计算方法，包括，对于第一浮点操作数和第二浮点操作数的相应对生成的一组乘积，其中，第一浮点操作数和第二浮点操作数的每一个都具有相应的尾数和指数，基于第一操作数的最大指数对齐第一操作数的尾数，以生成共享指数；基于...

一种薄膜深紫外线反射率映射方法、薄膜深紫外线反射率映射仪及光刻术曝光方法。使用具有深紫外线(deep ultraviolet，DUV)光源和DUV分光光度计的DUV反射率测量组件来取得极紫外线(extreme ultraviolet，E...

一种半导体装置结构及其制造方法，半导体装置结构的制造方法包括形成多个半导体层堆叠，各个堆叠体包括彼此交替堆叠的多个第一半导体层及多个第二层。然后，形成栅极电极结构于各个半导体层堆叠上，各个栅极电极结构包括栅极间隔件。形成外延层于各对相邻...

本公开实施例提供了半导体器件及其形成方法。根据本公开的一个实施例的方法包括：形成垂直堆叠在衬底之上的多个半导体纳米结构；形成悬置在半导体纳米结构中的最顶部一个之上的介电结构；形成与半导体纳米结构交错的多个内部间隔件；形成邻接半导体纳米结...

一种信号分配电路，包括配置为接收第一控制信号的信号节点、耦合到信号节点并被配置为响应于所述第一控制信号输出第一提升器信号的延迟级、以及耦合到所述信号节点和所述延迟级的提升级。提升级包括上拉电路和下拉电路，上拉电路包括被配置为响应于所述第...

一种形成半导体器件的方法，用于形成晶体管，包括：在衬底上形成交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠件；通过在衬底的第一器件区中形成源极/漏极开口，形成纳米结构沟道和插件。源极/漏极开口延伸穿过第一半导体层和第二半导体层。该方法包括：在形...

一种形成封装件的方法包括在中介层上形成第一导电柱；在中介层上形成第二导电柱，其中第二导电柱包括阻挡层；通过第一接合区域将第一半导体器件接合到第一导电柱，第一接合区域包括比焊料多的金属间化合物；以及通过第二接合区域将第一半导体器件接合到第...

一种记忆体电路及其操作方法，记忆体电路包括：包含多个记忆体单元的一记忆体阵列，所述多个记忆体单元在多个字线上方且沿着一位元线配置；及一控制器，其操作性地耦接至该记忆体阵列且包含一RC侦测器。该RC侦测器用以在一第二追踪信号过渡至上升之后...

本发明提供一种多层氢阻挡堆叠可以被包括在半导体装置中的非挥发性内存结构和内连线结构中的导电结构之间。多层氢阻挡堆叠可以最小化和/或防止氢扩散到非挥发性内存结构的一层或多层中，例如非挥发性内存结构的金属氧化物通道。多层氢阻挡堆叠可以包括氢...

本申请提供了纳米结构场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在鳍之上形成栅极结构；在鳍之上围绕栅极结构形成层间电介质(ILD)层；在鳍的相对侧并在栅极结构中形成第一电介质插塞和第二电介质插塞，其中，第一电介质插塞和第...

实施例提供了由GAA或FinFET晶体管形成的双极结晶体管(BJT)以及形成BJT的方法。BJT包括形成在GAA或FinFET晶体管的栅极之间的介电隔离结构。介电隔离结构减小了BJT的相邻端子的晶体管之间的间距。介电隔离结构允许BJT使...

本申请涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种用于形成高纵横比沟槽(例如，CPODE/CMODE沟槽)而不损坏相邻结构(例如，外延源极/漏极特征)的蚀刻工艺。

本技术的各种实施例是关于一种半导体装置，所述半导体装置可以包括静电放电(ESD)保护电路及高电压ESD触发电路，高电压ESD触发电路被配置来为半导体装置的高电压电路触发ESD保护。高电压ESD触发电路可以通过本文描述的高电压ESD触发电...

提供一种堆叠结构。堆叠结构包括第一管芯和堆叠于第一管芯上的第二管芯。第一管芯包括第一衬底和位于第一衬底上方的第一接合结构。第二管芯包括第二衬底和位于第二衬底上方的第二接合结构。第一和第二管芯透过键合的第一和第二接合结构接合。键合的第一和...

本揭露提供一种半导体装置。半导体装置包含半导体基材；在半导体基材上的第一装置区域，其中第一装置区域包含第一金属栅极，且第一金属栅极在Y方向上延伸至第一金属栅极的第一末端；在半导体基材上并在X方向上与第一装置区域分开的第二装置区域，其中X...

本揭露的一些实施例提供半导体装置。一种半导体装置包括栅极结构、沟槽及介电材料。栅极结构形成于半导体基板上方。沟槽形成在半导体基板中且邻近于栅极结构。半导体基板在沟槽下方形成有沟槽底表面。沟槽底表面包括间隔开的多个突出部，突出部被多个凹槽...

一些实施例公开了存储器中计算器件及方法，该方法包括：对于各自具有对应的尾数和指数的多对第一和第二浮点数，向相应一个乘法电路提供多对第一和第二浮点数的子集的尾数，多对第一和第二浮点数的子集各自具有满足预定标准(例如该和小于预定阈值)的第一...

本申请涉及用于保护CNT EUV护膜的含碳扩散阻障层。具体地，本申请提供了一种对氢等离子体具有改进的稳定性的包括护膜膜片在内的护膜。所述护膜膜片包括多个碳纳米管(CNT)，其中所述多个碳纳米管(CNT)中的至少一个CNT被保护涂层涂覆。...