本申请的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。用于形成半导体器件结构的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构具有基底层，并且鳍结构具有以交替方式布置在所述基底层上方的多个牺牲层和多个半导体层。该方法还包括部分地去除鳍结构以形成暴露半导体...

本申请的实施例公开了半导体组件及其形成方法。多个处理器管芯可以附接到中介结构，所述中介结构包括其中形成有中介金属互连结构的中介介电材料层。介电基质可以在所述中介结构上方的所述多个处理器管芯周围形成。路由管芯可以附接到多个处理器管芯。所述...

本技术的实施例提供一种半导体装置包括第一介电层、位于第一介电层之上的刻蚀停止层、位于刻蚀停止层之上的第二介电层、位于第一介电层中的光学调制器结构及位于光学调制器结构上方且被包括于第二介电层中的调制加热器结构，其中调制加热器结构包括位于光...

提供了低热预算介电材料沉积工艺。介电材料可以使用旋涂来沉积，并且用微波等离子体处理来处理。在一些实施方式中，介电材料邻近CFET器件的接触部件使用，诸如提供至CFET器件的底部晶体管的源极/漏极区域的连接的接触部件。本申请的实施例还涉及...

本发明涉及一种多维图像传感器集成芯片(IC)结构。多维图像传感器IC结构包括设置在布置于第一集成芯片(IC)层级的像素阵列中的多个像素区内的多个图像感测元件。所述多个像素区包括多个有源像素区以及一个或多个伪像素区。多个像素支撑器件设置在...

本公开的各种实施例涉及堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。第一集成电路(IC)芯片和第二IC芯片垂直堆叠。像素传感器跨越第一和第二IC芯片。像素传感器包括位于第一IC芯片的第一传输晶体管和光电探测器，还包括位于第二IC芯片的...

本技术实施例的高密度电容器包括具有多个非同心圆柱状部分的底部电极、包括多个垂直部分及环绕部分的顶部电极及将顶部电极与底部电极分隔开的介电层。所述多个非同心圆柱状部分中的每一者包括内壳体及外壳体，且所述多个垂直部分中的每一者被底部电极的相...

提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的方法包括：提供包括开口的中间结构，在开口上方共形地沉积金属衬垫，在金属衬垫上方沉积伪填充材料，使伪填充材料凹进，以使金属衬垫的一部分暴露出来，去除金属衬垫的暴露的部分，去除凹进的伪填充材料，以及...

提供一种集成电路装置。在所述集成电路装置中，是通过将第二介电组成物的隐埋层引入至第一介电组成物的栅极介电质中来解决提供如下晶体管的问题：所述晶体管可被制造成具有处于宽广的阈值电压范围内的任何指定阈值电压而不会产生泄漏问题、电容问题或工艺...

本申请涉及一种EUV光刻掩膜胚料、EUV掩膜及方法。所述EUV光刻掩模包括基底、包括铑合金的图案化的吸收层。在一些实施方式中，铑合金包括具有特定EUV折射指数和特定EUV消光系数的第5族、第6族、第9族、第10族或第11族过渡金属。所公...

提供一种关于一离子植入机的离子产生器。离子产生器包括：一电弧室，电弧室由在一行进方向上延伸的一电弧室外罩界定；一丝极，灯丝用以产生多个热电子；一阴极，阴极在行进方向上安置在电弧室外罩的一第一末端且用以回应于由灯丝产生的多个热电子的轰击产...

提供装置结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括设置在基底之上的第一电极和第二电极、设置在基底之上的加热元件、设置在基底之上的相变材料层以及垂直设置在加热元件和相变材料层之间的绝缘体。相变材料层至少包括第一片段和与第一片段分离的第二...

本技术实施例涉及半导体结构及半导体封装。本技术实施例涉及一种半导体结构，其包含：第一电波导，其由第一电介质材料形成且经配置以传输电讯号；第二电波导，其由所述第一电介质材料形成且经放置成相邻于所述第一电波导的第一侧；及第三电波导，其由所述...

在形成纳米结构晶体管的栅极结构之前，去除纳米结构晶体管的源极/漏极区域和纳米结构晶体管的牺牲纳米结构层之间的内部间隔件。去除牺牲纳米结构层，并且然后去除内部间隔件。然后，牺牲纳米结构层用纳米结构晶体管的栅极结构替换，从而使得栅极结构和源...

在实施例中，器件包括：多个再分布线，位于半导体衬底上方，再分布线包括沿半导体衬底延伸的迹线部分；第一钝化层，位于再分布线上方，第一钝化层填充再分布线的迹线部分之间的区的整体；无源器件，位于第一钝化层上方；介电层，位于无源器件上方；以及管...

提供了半导体器件及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括：在衬底上方形成包括与多个牺牲层交错的多个沟道层的鳍形有源区域；去除鳍形有源区域的源极/漏极区域以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成源极/漏极部件；选择性去除多个牺牲层以形...

在实施例中，方法包括：在半导体衬底上方形成有源器件；在半导体衬底上方形成互连结构，互连结构包括嵌入在介电层中的接触焊盘；在互连结构上方形成第一钝化层；形成穿过第一钝化层以暴露接触焊盘的第一开口；在第一钝化层上方和第一开口中沉积晶种层；在...

本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。描述了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括：去除鳍结构的一部分以在所述鳍结构中形成隔离沟槽的第一部分；钝化所述隔离沟槽的第一部分的暴露表面，以改变所述暴露表面对第一蚀刻剂的蚀刻选择性；使用所...

公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括衬底，设置在衬底上的第一源极/漏极(S/D)区域和第二源极/漏极区域，以及接触结构。接触结构包括设置在第一S/D区域和第二S/D区域上的第一导电覆盖层和第二导电覆盖层、以及导电插塞...

方法包括：将第一添加剂添加至电镀溶液，其中，第一添加剂是相对弱的抑制剂；将第二添加剂添加至电镀溶液，其中，第二添加剂是相对强的抑制剂；将第三添加剂添加至电镀溶液，其中，第三添加剂是流平剂；以及使用电镀溶液沉积铜，其中，大多数铜是具有(1...