本发明提供一种操作存储装置的方法，所述方法包括操作：基于存储于第一内存中的至少一个权重来产生将被存储于不同于第一内存的第二内存中的权重特征，其中权重特征与所述至少一个权重中处于最高有效位的相邻位置且与最高有效位相同的重复位的数目相关联；...

一种半导体装置包括一基板。多个半导体通道层是在该基板上方。一栅极结构包覆所述多个半导体通道层中的每一者。多个源极/漏极磊晶结构是在该栅极结构的相对侧上。多个磊晶晶种层是分别在所述多个源极/漏极磊晶结构下方，其中所述多个磊晶晶种层的一晶格...

提出了光学器件及其制造方法，其中利用具有透镜的第一连接结构来将光信号传输至光学器件并且从光学器件接收光信号。在实施例中，第一连接结构包括第一反射镜和与第一反射镜对准的透镜。第一反射镜和透镜通过光学器件内的边缘耦合器将光信号重定向至光学器...

本公开的实施例提供了形成半导体器件的方法，该方法包括：提供半导体结构，半导体结构具有底部沟道区区域和位于底部沟道区域上方的顶部沟道区域；在顶部沟道区域中的顶部沟道上方形成栅极介电层，并且栅极介电层包裹围绕顶部沟道区域中的顶部沟道；在超临...

本公开提供一种半导体装置，包括n型埋入层、位于n型埋入层上方的p型井区、包括n型漏极区域的n型通道MOSFET、以及垂直NPN BJT。垂直NPN BJT所具有的集极为n型漏极区域，并且所具有的基极为p型井区。p型井区是浮动的。

本申请的多种实施例针对集成芯片。集成芯片包括设置在衬底的基极区上的第一鳍结构和第二鳍结构。第一源极/漏极区设置在第一鳍结构上。第二源极/漏极区设置在第二鳍结构上。栅极结构覆盖在衬底的基极区上，并且在第一和第二鳍结构之间横向间隔开。栅极结...

公开了堆叠器件结构的源极/漏极制造方法。形成源极/漏极堆叠件的示例方法可包括前侧和背侧工艺。前侧工艺可以包括形成前侧源极/漏极沟槽，在该沟槽中形成伪源极/漏极，以及在伪源极/漏极上方的前侧源极/漏极沟槽内形成上部源极/漏极。背侧工艺可以...

本文公开了用于堆叠器件结构(如互补场效应晶体管(CFET))的栅极介电材料和相关方法。一种示例性方法包括在半导体沟道层上方形成二维(2D)介电材料。在一些实施例中，该方法还包括在2D介电材料上方沉积栅极介电层。在一些示例中，该方法还包括...

方法包括：将第一封装组件附接至衬底，其中，第一封装组件包括：中介层；管芯，位于中介层上；以及模制材料，围绕管芯；以及将加固结构附接至管芯的顶面，其中，模制材料没有加固结构。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。

方法包括：形成第一器件管芯，包括：在半导体衬底上形成集成电路；以及在半导体衬底上形成互连结构。互连结构具有多个金属层。方法还包括：将第二器件管芯接合至第一器件管芯；以及形成围绕第二器件管芯的间隙填充区域。在第一形成工艺中，形成第一TSV...

在实施例中，半导体器件可以包括中介层。半导体器件也可以包括直接接合至中介层的多个小芯片。器件可以进一步包括直接接合至与多个小芯片相邻的中介层的多个中介层管芯，多个中介层管芯具有衬底通孔。器件可以额外包括位于多个中介层管芯中的至少一个上方...

提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括位于衬底上方的多个第一纳米结构以及与第一纳米结构相邻的多个第二纳米结构。半导体结构包括位于第一纳米结构上方的保护层以及形成在第一纳米结构上的第一栅极结构。半导体结构包括形成在第二纳米结构上的第...

本技术提供一种封装体包括光学引擎，附接到封装基底，其中光学引擎包括第一导波；以及导波结构，附接到邻近光学引擎的封装基底，其中导波结构包括在透明区块内的第二导波，其中透明区块的底表面为非平面，其中第二导波沿其长度距底表面为固定距离，其中第...

一种封装模块，包括中介层、多个半导体晶粒以及模制材料层，中介层包括具有虚设通孔的虚设通孔形成区域，其中多个半导体晶粒中的一个半导体晶粒的边缘位于虚设通孔形成区域之上，且模制材料层位于中介层上并封装多个半导体晶粒。

一种静态随机存取记忆体单元包含与第一栅极层接合以形成第一装置的第一n通道层；与第一栅极层接合以形成第二装置的第一p通道层，第一栅极层堆叠于第一n通道层与第一p通道层之间；与第二栅极层接合以形成第三装置的第二n通道层，且第二n通道层耦接至...

一种包含应力缓冲垫的封装基板。每个应力缓冲垫可与封装基板的对应接合垫垂直分隔且至少部分地重叠。应力缓冲垫可提供结构性加强以将拉伸应力分布在封装基板上并抑制封装基板之中形成翘曲以及破裂。因此可改善半导体封装的可靠性与良率。

本公开根据一些实施例提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括多个半导体装置、互连结构及重分布布局结构。多个半导体装置形成在半导体基板上。互连结构设置在多个半导体装置上。重分布布局结构设置在半导体基板之上，其中重分布布局结构包括埋置在钝化...

提供了一种半导体器件的测试方法和系统。该方法包括将封装半导体器件放置在测试器上，并将热管理组件与所述封装半导体器件的上表面接合。使用所述测试器测试所述封装半导体器件，并在测试期间向所述热管理组件的第一区域传递第一热条件，同时向所述热管理...

一种形成半导体结构的方法包括：对第一晶圆执行等离子体处理，对第一晶圆执行处理工艺，其中处理工艺使得第一晶圆比处理工艺之前更加疏水；通过晶圆对晶圆接合将第一晶圆预接合到第二晶圆；以及执行退火工艺以将第一晶圆接合到第二晶圆。本公开的实施例还...

接合器件结构包括：载体结构；集成电路(IC)管芯，经由接合层接合至载体结构的表面，其中，IC管芯包括与载体结构的表面垂直分隔开并且位于载体结构的表面上面的檐，湾区域位于檐和载体结构的表面之间；模制部分，位于湾区域内。可以设计湾区域和/或...