本发明提供一种偶极工程技术，其可在制造闸极堆叠(例如晶体管的闸极堆叠)时实施。用于形成晶体管的闸极堆叠的示例性方法包括形成高k介电层、在高k介电层上方形成p‑偶极掺杂剂源层、执行将铝从p‑偶极掺杂剂源层驱入高k介电层的热驱入工艺，并在去...

一种挥发性有机化合物的去除系统及其方法，挥发性有机化合物(volatile organic compound；VOC)去除系统从半导体制程的废液中去除VOC。VOC去除系统量测当前VOC去除参数且将其传递至经机器学习过程训练后的分析模型...

提供一种数据处理的系统、电路及方法。该电路包含双模加法器、最大值探测器电路、区域侦测器电路及对准电路。该双模加法器产生第一浮点数的第一指数与第二浮点数的第二指数之间的乘积。该最大值探测器电路在这些乘积的第一部分中探测最大值。该区域侦测器...

提供了半导体装置。半导体装置包括彼此垂直地分离的多个半导体层；包括下部和上部的栅极结构，其中下部包裹半导体层中的每一个；以及设置在半导体层和栅极结构之间并分离半导体层和栅极结构的多个扩散帽层。在一些实施方式中，扩散帽层作为半导体层的扩散...

提供一种半导体装置结构包括通道区、第一源极/漏极特征、栅极介电层与栅极电极层。通道区包括第一通道层以及第二通道层，第一通道层具有第一宽度，第二通道层设置于第一通道层下方，第二通道层具有大于第一宽度的第二宽度。第一源极/漏极特征具有与第一...

一种输入/输出电路及记忆体电路，输入/输出电路包含旁路电路、第一锁存器、第二锁存器、第一晶体管及第二晶体管。旁路电路用以直接地接收数据信号并间接地接收写入启动信号。第一锁存器耦接于第一数据接线与第二数据接线之间。第二锁存器耦接至第一锁存...

本揭露提供具有低电阻通孔接触件的半导体结构。示例的半导体结构包括基板、设置在基板上方的介电质层、设置在介电质层中的电阻器以及设置在电阻器的介电质层中的电阻通孔接触件。电阻通孔接触件还包括设置在电阻器上并与电阻器接触的第一层、设置在第一层...

本技术提供一种铁电随机存取记忆体装置，包括电晶体，所述电晶体包括：闸极电极；铁电层，位于所述闸极电极之上；通道层，位于所述铁电层之上；顶盖层，位于所述通道层之上，其中所述顶盖层包含以下中的一或多者：CeO<subgt;x</...

一种半导体装置包含半导体纳米结构堆叠、相邻于半导体纳米结构堆叠的源极/漏极区、下伏于该源极/漏极区的一底部介电层、衬里层及导电核心层。源极/漏极区具有一顶表面、多个侧壁及一底表面。一孔隙存在于源极/漏极区与底部介电层之间。衬里层位于源极...

一种半导体装置。此半导体装置包括一通道部件。此半导体装置包括在一第一剖面侧视图中位于前述通道部件旁边的一栅极介电部件。前述第一剖面侧视图由一垂直方向和一第一水平方向定义。此半导体装置包括一栅极电极部件。在前述第一剖面侧视图中，前述栅极介...

本文所描述的实施方式提供了一种半导体装置，基于栅极的对准图案的各个实施方式，用于基板的半导体工艺对准，在基板上制造多个半导体装置。在本文所描述的一些实施方式中，基于栅极的对准图案可被包括在半导体装置的对准标记区域中，对准标记区域制造在基...

一种半导体装置，包含栅极层、栅极氧化层及数个半导体通道。栅极层设置于半导体基材上方的数个金属化层的其中一者中且包含数个栅极。栅极氧化层设置于此些栅极上方。半导体通道通过栅极氧化层与栅极层分开。此些半导体通道包含第一记忆单元的数个晶体管。...

本申请涉及半导体结构与半导体装置，其中，半导体结构包括位于衬底中的源极及漏极。所述半导体结构包括氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)装置的栅极，所述栅极被配置成对源极与漏极之间的通道进行控制。所述半导体结构包括位于栅极与衬底上...

本公开的各项实施例是关于一种用于向量矩阵运算的光子电路。源像素被配置为产生光束。光学扇出结构被配置为产生该光束的多个副本。多个调制器像素被配置为分别以个体透射率透射该多个副本以产生多个透射光束。多个检测器像素被配置为分别响应于该多个透射...

本公开的实施例提供一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括设置在衬底之上的源极/漏极区域、设置在源极/漏极区域之上的层间电介质层、设置在源极/漏极区域之上的第一导电特征、设置在衬底之上的栅极电极层以及围绕第一导电特征的电介质层。电介质...

提供一种集成电路装置及其制作方法。用于制造集成电路装置的方法包括：在基板上方沉积磊晶堆叠，其中磊晶堆叠包含底部磊晶堆叠、底部磊晶堆叠上方的牺牲半导体层、牺牲半导体层上方的顶部磊晶堆叠，底部磊晶堆叠包含底部半导体层及底部掺杂牺牲层，顶部磊...

光子耦合器可包括第一输入波导、第二输入波导、第一输出波导、第二输出波导、耦合区，其中耦合区中的第一输入波导、第二输入波导、第一输出波导、与第二输出波导中的两者或更多者相关的电磁场彼此重叠、以及电光装置位于耦合区中且包括折射率，且折射率为...

提供一种包括用于源极/漏极(S/D)及/或散热器的高卡帕(high‑κ)材料的半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括衬底、堆叠在衬底之上的多个沟道层、包覆多个沟道层的栅极结构以及配置在栅极结构的相对侧处的衬底之上并连接多个沟道层的S/...

本申请的实施例公开了存储器电路及其操作方法。存储器电路可以包括存储器阵列、第一跟踪单元、第二跟踪单元、第一跟踪电路和第二跟踪电路。存储器阵列的第一部分可以包括多个第一标称存储器单元，其耦合到沿第一横向方向延伸的第一位线区段。存储器阵列的...

本公开涉及用于EUV光刻的薄膜结构及其制造方法。一种制造半导体器件的方法包括：加热设置在光掩模之上的薄膜。光化辐射穿过所述薄膜以选择性地曝光衬底上的光致抗蚀剂层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。