本申请涉及一种制造半导体器件的方法和包含浮动添加剂的组合物。具体地，本申请的制造半导体器件的方法包括在基板上方形成包含光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层，以及形成包含浮动添加剂聚合物的浮动添加剂层。所述浮动添加剂聚合物包含悬垂氟取代的有机基...

本发明的实施例提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器通过将光电探测器电路的部分卸载到与光电二极管分离的器件层来实现高像素密度，从而实现高分辨率。光电探测器使用横向溢出积分电容器和双转换增益晶体管来增加动态范围。通过提供高转换增益模式，...

方法包括形成管芯，这包括：在管芯的第一半导体衬底的第一侧上形成第一金属柱；抛光管芯的第一半导体衬底以露出第一半导体衬底中的第一通孔；以及在管芯的第二侧上形成第二金属柱。第一侧和第二侧位于第一半导体衬底的相对侧上。方法还包括：将管芯密封在...

本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括在半导体衬底上形成第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管和第二晶体管垂直堆叠。该方法还包括暴露第一晶体管的第一栅极堆叠件的背侧；在第一栅极堆叠件的背侧上形成背侧栅极蚀刻...

方法包括：形成包括多个半导体纳米结构的多层堆叠件。多层堆叠件包括：半导体纳米结构；以及牺牲半导体层，位于半导体纳米结构上方。方法还包括：在半导体纳米结构上方沉积接触半导体纳米结构的半导体层；去除牺牲半导体层；以及形成包围半导体纳米结构和...

可以在包含半导体区域的半导体衬底上方形成介电材料层和绝缘层。可以至少穿过绝缘层蚀刻通孔开口。可以沉积并且图案化金属层，以提供相变存储器(PCM)开关的加热器元件和填充通孔开口的静电放电金属结构。可以在加热器元件和静电放电金属结构上方沉积...

只读存储器(ROM)阵列包括沿相应第一至第四有源区定位在半导体衬底前侧的四个ROM位的第一至第四行、在第一方向上与第一至第四有源区对齐并位于半导体衬底的第一前侧金属层中的第一至四金属线、以及在第一方向上将第一至第四有源区对齐且位于半导体...

本公开的各种实施例涉及一种常开压电微机电系统(MEMS)器件。悬臂的第一端位于衬底上面并接合到衬底，并且还具有与第一端相对且位于致动器腔上面的第二端。压电致动器位于悬臂上。阀叶片接合到所述悬臂的所述第二端，并且进一步位于与所述致动器腔横...

集成电路器件包括半导体器件的多个行。多个行沿第一轴伸长并且沿横向于所述第一轴的第二轴并排布置。多个行包括沿第二轴具有第一高度的第一行和沿第二轴具有第二高度的第二行。第二高度小于第一高度。每行包括第一导电类型的第一有源区和与第一导电类型不...

本揭露描述一种可以提供改进的沟槽填充的半导体装置。半导体装置可以包含设置在分开一段距离的第一层上的导电特征及设置在导电特征及第一层上方的层。层可以包含导电特征中的每一导电特征上方的三角形峰及第一层上方的谷区。

本技术实施例涉及一种影像传感集成电路装置。用于在半导体衬底的像素区中形成第一深沟渠隔离(DTI)结构的工艺也用于在保护环区域中形成第二DTI结构，其将像素区与周围区隔离。保护环区域可以具有PNP保护环结构。第二DTI结构可以在PNP保护...

本案提供一种生成布局图案的方法及控制系统。生成布局图案的方法包括以下步骤：将一光阻层设置在一基板上；将具有一厚度的一顶层设置于该光阻层上方且接触该光阻层，其中该顶层具有对于一极紫外辐射为透明的一苯环结构，并且其中该顶层对于一深紫外辐射为...

本技术提供一种包括四晶体管三进制内容可寻址记忆胞的装置结构，包括：第一非迟滞晶体管(例如，薄膜晶体管)与第一内存晶体管(例如，薄膜晶体管)的第一串联连接部，所述第一内存晶体管包括被配置成储存第一二进制位的第一内存组件；以及第二非迟滞晶体...

一种探针组件结构，探针组件结构包含多层结构包含探针接触垫；上导板包含通过其中的上孔阵列；下导板包含通过其中的下孔阵列；介电隔板位于上导板与下导板之间，且包含开口；探针阵列附接至探针接触垫，探针阵列垂直延伸通过上导板、下导板及介电隔板。下...

本技术的实施例提供一种自动化材料搬运系统包括存放载具及搁架状态监测设备。存放载具配置成实行与搁架单元相关联的存放操作，存放操作包括放置操作或获取操作，放置操作包括将产品单元自存放载具的负载支撑组件转移到搁架单元之上的存储位置，获取操作包...

提供了具有微弹簧结构的微机电系统(MEMS)致动器。一实施性MEMS致动器包含第一微机械臂阵列及第二微机械臂阵列，第一微机械臂阵列包含在第一水平方向彼此间隔开的多个第一微机械臂，第二微机械臂阵列包含在第一水平方向彼此间隔开的多个第二微机...

本技术实施例的各种实施例涉及半导体装置和制造方法。在实施例中，半导体装置可包含第一半导体管芯；第一半导体管芯上的氧化物层，其中第一半导体管芯具有与氧化物层相对的第一顶面；第一绝缘材料封装第一半导体管芯和氧化物层，其中第一绝缘材料具有和第...

本技术提供公开一种裸晶接合工具，包括具有可移动部件的接合头。可移动部件可在延伸位置以及缩回位置之间移动，可移动部件的下表面在延伸位置突出到接合头的下表面下方，可移动部件的下表面在缩回位置不突出到接合头的下表面下方。可移动部件可用来在将半...

一种光学装置，包括第一光学封装体及空腔环。第一光学封装体位于中介基板之上并接合至中介基板，且中介基板包括半导体基板。空腔环位于半导体基板之上。

本技术提供一种压电阀，包括包括支点结构的阀体以及在阀叶片的第一间隙维持垫和第二间隙维持垫上与阀体耦合的阀叶片。阀体的一层或多层中的多个薄膜压应力将阀叶片对阀体偏移成正常关闭结构。第一间隙维持垫以及第二间隙维持垫位于支点结构的相对两侧。