【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种压电阀。
技术介绍
1、多个集成电路可以在半导体晶片(wafer)上制造。多个半导体晶片可以堆栈或者接合在彼此的顶部,形成所谓的三维集成电路。一些半导体晶片包括多个微机电系统(micro-electromechanical-system,mems)装置,其涉及形成多个微米结构(micro-structures)以及多个奈米结构(nano-structures)的工艺。通常来说,多个微机电系统装置建立在多个硅晶片上,并且以多个薄膜材料的类型实现。微机电系统的应用包括惯性传感器(inertial sensor)应用(例如,运动传感器、加速度计(accelerometer)、陀螺仪(gyroscope))、压力传感器、微流体装置(例如,阀(valve)、泵(pump))、可移动镜面和成像装置(例如,微机械超声换能器(micromachinedultrasonic transducer))等等。
技术实现思路
1、在一些案例中,微阀可能会因为有不断地施加电压或其他电力输入至微阀以将微
...【技术保护点】
1.一种压电阀,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的压电阀,其特征在于,其中所述一层或多层包括包含在所述阀体内的阀驱动器的压电驱动层。
3.根据权利要求2所述的压电阀,其特征在于,其中所述压电驱动层包含在所述阀驱动器的底部电极与所述阀驱动器的顶部电极之间。
4.根据权利要求1所述的压电阀,其特征在于,其中所述第一间隙维持垫位于所述阀体的阀驱动器的第一端部上;以及
5.根据权利要求4所述的压电阀,其特征在于,其中所述阀叶片包括所述第一间隙维持垫旁的阀塞;
6.一种压电阀,其特征在于,包括:
...
【技术特征摘要】
1.一种压电阀,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的压电阀,其特征在于,其中所述一层或多层包括包含在所述阀体内的阀驱动器的压电驱动层。
3.根据权利要求2所述的压电阀,其特征在于,其中所述压电驱动层包含在所述阀驱动器的底部电极与所述阀驱动器的顶部电极之间。
4.根据权利要求1所述的压电阀,其特征在于,其中所述第一间隙维持垫位于所述阀体的阀驱动器的第一端部上;以及
5.根据权利要求4所述的压电阀,其特征在于,其中所述阀叶片包括所述第一间隙维持垫旁...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仪贤,黄富骏,叶柏辰,朱昭宏,林璟晖,郑创仁,黄士芬,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。