本技术提供一种半导体封装件包括第一半导体晶粒；在俯视图中，包围第一半导体晶粒的第一包封体；第一半导体晶粒和第一包封体上的接合层；接合层中第一多个虚设垫；接合至接合层的第二半导体晶粒，接合层在第一半导体晶粒和第二半导体晶粒之间；接合至接合...

本技术实施例提供一种半导体装置，包括第一半导体封装，第一半导体封装包括封装在绝缘材料中的第一半导体管芯；位在第一半导体管芯之上的第一耐热膨胀层；位在第一耐热膨胀层和绝缘材料之上的接合层；以及直接接合到接合层的第二半导体管芯。

形成集成电路的方法，包括：形成连接至多个晶体管的沟道的源极/漏极区，并且形成与源极/漏极区接触的硅化物。该方法包括：利用第一沉积工艺，在硅化物上沉积晶体管的源极/漏极接触件的第一金属层，并且通过实施使用第一金属层作为掩模的蚀刻工艺，图案...

在实施例中，半导体器件可以包括多个第一纳米结构。多个第一纳米结构在第一源极/漏极区域之间延伸。半导体器件也可以包括位于多个第一纳米结构上方的多个第二纳米结构。多个第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸。器件可以进一步包括多个第一纳米结...

此处提供具有虚置区的半导体装置，且虚置区具有不同横向尺寸的虚置填充结构。半导体装置可包括穿硅通孔延伸穿过半导体装置的基板；主动装置位于基板之中或之上；以及基板的虚置区，分开穿硅通孔与主动区，虚置区包括多个虚置填充结构，其中虚置填充结构在...

本申请涉及半导体结构、半导体器件及其形成方法。本公开描述了一种半导体器件，其在S/D电介质结构上具有半导体种子层。该半导体结构包括：衬底上的沟道结构；包绕沟道结构的栅极结构；内部间隔件，与栅极结构和沟道结构的端部相邻；电介质结构，在衬底...

本揭露提供记忆体元件与半导体装置。在一个示例中，记忆体元件包括电容器和以紧凑配置堆叠在电容器上方的晶体管。电容器包括浮动栅极、高k介电质层以及金属栅极。金属栅极从第一侧壁水平延伸至第二侧壁并且从底表面垂直延伸至顶表面。晶体管包括金属栅极...

揭示一种记忆体内计算系统、记忆体电路及其操作方法。在一个态样中，一种系统包括一记忆体电路，其储存用于一记忆体内计算(CIM)运算的数据。该系统包括一加法器电路，其自多个输入装置及该记忆体电路接收多个输入。该系统包括一比较电路，其用以接收...

本技术提供一种集成电路包括第一栅极、第二栅极、第三栅极及第四栅极、第一输入接脚以及第一导体。第一栅极及第三栅极位于第一层级上。第二栅极及第四栅极位于第二层级上。第二栅极耦合至第一栅极。第四栅极耦合至第三栅极。第一输入接脚在第二方向上延伸...

本文所述的一些实施提供一种光电子装置及半导体装置，光电子装置包括具有由一或多个量子效应结构形成(例如，由量子效应结构的多层形成)的多个感测结构的多层光电二极管结构。包括与光电子装置的基板接触的侧壁的多个感测结构可经堆叠并包括重叠部分。经...

本技术提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括形成在基底上方的多个纳米结构以及形成在纳米结构上的栅极结构。所述半导体结构包括邻近栅极结构形成的源极/漏极结构以及位于栅极结构与源极/漏极结构之间的内间隔物层。所述半导体结构包括邻近内间隔物...

提供鳍式场效晶体管装置。在一示例中，鳍式场效晶体管(FinFET)装置包括基板、设置在基板上的鳍式结构、形成在鳍式结构中的分段通道区、由分段通道区间隔开的两源极/漏极区，以及环绕分段通道区的栅极结构。分段通道区还包括依序设置在分段通道区...

本技术提供一种半导体结构，包括：设置于一半导体装置上的一第一介电层、设置于第一介电层内的一导电结构、包括一顶部部分及一底部部分的一阻挡结构、设置于阻挡结构上的一导电衬层以及设置于导电衬层上的一导电插塞。顶部部分设置于第一介电层上，且底部...

方法包括在衬底上形成牺牲块，回流牺牲块，执行第一蚀刻工艺以蚀刻牺牲块和衬底，直到蚀刻衬底的部分以形成微透镜，形成图案化的蚀刻掩模，以及执行第二蚀刻工艺以蚀刻衬底。在已经执行第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺之后的时间，微透镜位于衬底的凹槽中。本...

方法包括：图案化堆叠的层，以形成第一多层堆叠件和第二多层堆叠件，每一个都包括交替定位的多个牺牲层和多个纳米结构。第二多层堆叠件比第一多层堆叠件更宽。基于第一多层堆叠件，形成纳米片晶体管。纳米片晶体管包括：第一沟道区，具有第一宽度；和第一...

本发明的实施例提供一种存储系统、存储器件和操作存储器件的方法。存储器件包括编码器电路、存储器阵列和累加器电路。编码器电路根据标志数据将每个权重的第一位转换为符号位，以生成编码权重。存储器阵列包括存储器单元。布置在同一列中的存储器单元存储...

一种记忆体装置可以包括基板、多个记忆体单元及头部装置。基板可以具有彼此相对的第一侧及第二侧。多个记忆体单元可以形成在基板的第一侧上。头部装置可以形成在基板的第一侧上。头部装置可以用以基于控制信号通过第一供电路径组合或第二供电路径组合将电...

根据本公开的用于光学耦接的装置包括衬底、设置在衬底上的反射层、位于反射层之上的下部光栅层和位于下部光栅层之上的上部光栅层。下部光栅层包括基底层和位于基底层之上的下部光栅耦接器。上部光栅层包括上部光栅耦接器和位于上部光栅耦接器之上的涂层。...

本公开涉及GAA晶体管中的位错及其形成方法。一种方法包括形成突出特征。该突出特征包括：在体半导体衬底之上的第一牺牲纳米片、在第一牺牲纳米片之上的第一半导体纳米片、在第一半导体纳米片之上的第二牺牲纳米片、以及在第二牺牲纳米片之上的第二半导...

方法包括：在衬底上形成牺牲层；图案化牺牲层，以形成：第一牺牲块，具有第一高度；和第二牺牲块，具有大于第一高度的第二高度。第二牺牲块与第一牺牲块间隔开空间。该方法还包括：使第一牺牲块和第二牺牲块回流；以及实施蚀刻工艺，以蚀刻第一牺牲块、第...