提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括在衬底中形成牺牲部件，在牺牲部件上方形成源极/漏极部件，源极/漏极部件从衬底突出，从衬底的背侧平坦化衬底以减小衬底的厚度，执行第一蚀刻工艺以选择性地去除衬底而基本上不蚀刻牺牲部件，...

本发明的实施例提供了了半导体器件和半导体结构。根据本发明的半导体器件包括：第一晶体管和第二晶体管，共享第一源极/漏极部件；第三晶体管和第四晶体管，共享第二源极/漏极部件；第一源极/漏极接触件，设置在第一源极/漏极部件上方；第二源极/漏极...

本发明的实施例提供了一种存储器电路，包括：存储器阵列，包括多个存储器单元，其中，多个存储器单元中的每一个都可以通过多个位线访问；比较器，配置为接收指示第一存储器单元沿其布置的第一行的第一地址信号和指示第二存储器单元沿其布置的第二行的第二...

半导体封装体可以包括：封装基板；第一半导体晶粒，电性且机械耦合到封装基板；第二半导体晶粒，电性且机械耦合到封装基板；以及加强结构，机械耦合到至少第一半导体晶粒的第一垂直表面及第二半导体晶粒的第二垂直表面，使得加强结构围绕小于第一半导体晶...

一种封装结构，包括封装基板；半导体模块位于封装基板上并含有半导体模块角落部分；以及封装盖位于封装基板上并位于半导体模块上，且封装盖包括封装盖脚部贴合至封装基板；以及封装盖板部贴合至封装盖脚部并位于半导体模块上，其中封装盖板部包括凹陷于半...

一种接合设备，包括具有真空通道和可切换通道的接合头。接合设备可包括真空泵、鼓风机、与真空泵和鼓风机通信地耦接的控制器、以及接合头。接合头可包括主体、主体中的第一真空通道和主体中的第一可切换通道，其中第一真空通道连接到真空泵，第一可切换通...

半导体封装包括封装基板，具有外涂层，例如阻焊层。穿过封装基板的外涂层的多个开口暴露接合垫的阵列，接合垫的阵列用于将封装结构(包括中介层和至少一个半导体集成电路晶粒)接合到封装基板。穿过封装基板的外涂层的开口在封装基板的不同区域中包括不均...

提供了形成器件衬底的方法。方法包括：在半导体衬底上形成器件层；在器件层上方形成互连结构；以及在互连结构上方形成再分布层。互连结构包括介电层的堆叠层级和相应介电层中的导电连接件。导电连接件分成组。第一组中的导电连接件彼此连接。再分布层包括...

提供了半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包括：基板、形成在基板上的鳍片、形成在鳍片上的栅极结构、以及形成在鳍片上并邻近于栅极结构的金属接触件。鳍片沿着第一水平方向延伸，栅极结构和金属接触件沿着第二水平方向延伸，并且第二水平方向垂直于...

一种存储器器件包括设置在衬底上方的第一存储器阵列、设置在衬底上方并沿第一方向与第一存储器阵列分离的第二存储器阵列、以及限定在所述衬底中并介于第一存储器阵列和第二存储器阵列之间的带状单元。带状单元包括邻接第一存储器阵列的第一边界、邻接第二...

一种半导体装置及其制造方法。制造方法包括：在基板上的层间介电层之间形成栅极结构；在栅极结构上方形成金属覆盖层；在感应耦合等离子体室中处理基板表面，该处理包括氧化金属覆盖层的表面并减少层间介电层的顶表面中的氧含量；在熔炉中进行抑制步骤，以...

本揭示内容的多个实施方式提供了一种用于形成半导体装置结构的方法。此方法包括在基板上方形成鳍片结构，在鳍片结构附近形成绝缘材料，在鳍片结构上方沉积栅极介电层，在栅极介电层上沉积栅极电极层，以及经由循环工艺在绝缘材料内形成穿过栅极电极层和栅...

一种存储器电路，包括布斯编码器，被配置为接收包括第一符号部分和第一数据部分的第一数据元素。存储器电路包括布斯解码器，布斯解码器被配置为接收包括第二符号部分和第二数据部分的第二数据元素，并基于第一数据元素和第二数据元素提供乘积。存储器电路...

本公开涉及半导体结构的制造方法，其实施例提供一种用于将晶粒接合到基底上的接合工具以及一种包括将基底和多个晶粒定位在接合工具的基底支撑件上方的方法，其中多个晶粒设置在基底上，且基底由边缘环围绕，使设置在基底和边缘环上方的接合工具的薄膜膨胀...

一种器件包括：第一有源区域；第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，相应地位于第一有源区域的第一部分的前侧和背侧上，并且耦接至第一有源区域的第一部分的前侧和背侧；金属到源极/漏极(MD)接触件，包括位于第一欧姆接触层上的第一部分和相应地位于第一...

本发明的实施例公开了一种集成电路芯片，包括第一存储单元阵列和第二存储单元阵列以及第一组位线和第二组位线。第一存储单元阵列具有沿第一方向的第一宽度和沿第二方向的第一高度。第二存储单元阵列在第一方向上具有第二宽度，在第二方向上具有第一高度。...

本公开是关于一种形成表膜设备的方法，包括提供装置基板，装置基板具有定义在基底装置层上方的一层或多层表膜层；在表膜层上方形成释放层，释放层直接接触表膜层的表面；提供透明承载基板；在透明承载基板上方形成粘合层，粘合层直接接触透明承载基板；将...

提供了用于形成半导体结构的方法。方法包括：形成鳍结构，其中第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在鳍元件上方；形成隔离结构以围绕鳍元件；在隔离结构上方形成横跨鳍结构的伪栅极介电层；在伪栅极介电层上形成伪栅电极层；部分蚀刻伪栅电极层和伪栅极介...

提供了一种半导体元件和其形成方法。此半导体元件可包含基材、从基材突出的鳍状结构、在基材上并沿着鳍状结构的侧壁的隔离区域、包含位于鳍状结构上方的第一纳米结构的纳米结构堆叠、在纳米结构堆叠的纳米结构之间延伸且绕着第一纳米结构的栅极结构以及第...

揭示了一种半导体装置。一种记忆体装置包含基板；读出放大器，包含具有延伸到基板中的多个第一漏极/源极区的多个第一环绕式栅极场效晶体管；以及多个位元单元，包含多个熔丝记忆元件和多个第二环绕式栅极场效晶体管。各位元单元包含熔丝记忆元件，其具有...