本揭露涉及一种半导体元件及其形成方法。本揭露所述的技术包含形成用于p型金属氧化半导体(PMOS)纳米结构晶体管的各个(不同)类型的栅极金属并保持半导体元件的固有的n型金属氧化半导体(NMOS)纳米结构晶体管。可在PMOS纳米结构晶体管的...

一种半导体装置，包括具有一个或多个半导体装置的基板。在一些实施例中，该装置还包括设置在一个或多个半导体装置上方的第一钝化层以及形成在第一钝化层上方的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构。在一些实施例中，MIM电容器结构包括第一导体板层...

本公开的实施例提供一种封装体，包括一光学引擎，贴附至一封装基底，其中光学引擎包括一第一波导；以及一波导结构，贴附至邻近光学引擎的封装基底，其中波导结构包括位于一透明块体内的一第二波导，其中第二波导的一第一端部光学性耦接至第一波导，其中波...

一种半导体装置，包含下部接触部件于基板上方；第一介电层于下部接触部件上方；金属‑绝缘体‑金属结构于第一介电层上方；第二介电层于金属‑绝缘体‑金属结构上方；导电部件延伸穿过第二介电层、金属‑绝缘体‑金属结构及第一介电层，且电性地耦合至下部...

范例半导体结构包含大块基板及绝缘层上硅基板。大块基板具有顶面，而绝缘层上硅基板融合入大块基板中。绝缘层上硅基板还包含重掺杂层、绝缘层以及主动基板。绝缘层设置在重掺杂层上且被重掺杂层围绕，而主动基板设置在绝缘层上且被绝缘层围绕。半导体结构...

一种自旋电子装置，包含基板、Ge<subgt;1‑x</subgt;Sn<subgt;x</subgt;通道层、Ge<subgt;1‑y</subgt;Sn<subgt;y</subgt;...

本技术公开了光学装置。在实施例中，提供了光学装置，其包含光学封装体，具有第一表面及相对第一表面的第二表面。光学装置包含激光晶粒封装体，具有第三表面及相对第三表面的第四表面。第一表面与第三表面共平面，而第二表面与第四表面共平面。光学装置包...

集成电路包括馈通通孔结构，馈通通孔结构包括具有伪栅极金属的伪晶体管。伪晶体管位于第一晶体管和第二晶体管之间。伪栅极金属是与第一晶体管和第二晶体管的栅极金属不同的材料。馈通通孔结构将背侧金属线与前侧金属线电连接。第一晶体管和第二晶体管位于...

本揭露公开一种半导体装置及其制造方法。此方法包括在基板上形成纳米结构化层、形成围绕纳米结构化层的栅极结构、形成与纳米结构化层相邻的S/D区域、在S/D区域上形成接触开口、使用第一沉积工艺在接触开口中沉积第一导电层、在第一导电层上执行电浆...

一种半导体装置结构，包括源极/漏极外延结构，其包括第一半导体材料；第一含铝层位于第一半导体材料上；以及第二半导体材料位于第一含铝层上。结构还包括第一半导体层接触源极/漏极外延结构，以及栅极层位于第一半导体层上。

一种封装结构，包括一第一封装结构以及一第二封装结构。第一封装结构包括形成在一第一基底上方的一第一装置。此第一装置包括连接到形成在第一基底中的一基底通孔结构的一第一导电插塞。一缓冲层围绕第一基底，且一第一接合层形成在第一基底和缓冲层的上方...

本公开的各种实施例提供了一种半导体装置结构。在一实施例中，半导体装置结构包含第一源极/漏极部件及第二源极/漏极部件、多个半导体层，垂直地堆叠且设置于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间、栅极电极层，围绕每个半导体层的一部分以及界面...

本技术的实施例提供一种半导体装置，包括第一垂直场效晶体管及第二垂直场效晶体管，所述第一垂直场效晶体管具有第一漏极/源极区及第二漏极/源极区，所述第二垂直场效晶体管具有第三漏极/源极区及第四漏极/源极区。所述装置包括第一电源接触件、第二电...

一种半导体元件，包含一栅极电极，一栅极介电层，与栅极电极接触。一第一2‑D材料缓冲层在栅极介电层之上。一2‑D材料通道层在第一2‑D材料缓冲层之上。多个源/漏极电极在2‑D材料通道层之上。

本公开提供一种波导制造方法以及光学结构。光学结构包括波导。波导具有第一部分、第二部分以及过渡部分，过渡部分具有连接第一部分的第一端和连接第二部分的第二端。第一部分具有小于第二部分的第二厚度的第一厚度。过渡部分的厚度从其第一端的第一厚度逐...

描述了一种半导体器件结构及其形成方法。该半导体器件结构包括：第一栅极介电层，设置在衬底上方，第一栅极介电层包括内表面和与内表面相对的外表面，并且第一栅极介电层包括从内表面朝向外表面降低的氟浓度。该结构还包括：第二栅极介电层，设置在第一栅...

方法包括：形成包括下部晶体管和上部晶体管的互补场效应晶体管，下部晶体管包括下部源极/漏极区域，并且上部晶体管包括上部源极/漏极区域。蚀刻上部源极/漏极区域上方的上部介电层和上部源极/漏极区域下方的下部介电层以形成开口。上部源极/漏极区域...

本揭露涉及一种光调制器的结构以及形成该结构的方法。该结构包括在光波导中形成C形P‑N结的第一、第二、第三和第四掺杂区。形成此结构的方法包括透过在光波导的侧表面上植入第一类型的掺杂剂并应用第一掩模以形成第一掺杂区。方法还包括透过植入第一类...

本技术提供一种封装件包括第一封装组件以及第二封装组件。第一封装组件包括第一半导体衬底、第一半导体衬底之上的第一介电层以及第一介电层中的第一多个金属垫。第二封装组件包括第二半导体衬底以及第二半导体衬底下的第二介电层。第二介电层接合到第一介...

本技术提供一种光学封装，包括光学中介层以及半导体装置。光学中介层包括外部连接件层、第一内连结构、有源装置层、介电衬底、第一接合层以及反射接垫。第一内连结构位于所述外部连接件层之上。所述第一内连结构包括嵌入介电层中的导电特征。有源装置层位...