极紫外光刻的方法、执行光刻的方法和极紫外光刻系统技术方案

本公开提供了一种用于光刻系统的方法，该光刻系统包括向热管理控制器提供反馈的一个或多个热传感器。热管理控制器向诸如热交换器和气体喷口的热调节组件提供指令，以提供光刻系统中使用的中间掩模的冷却。本公开的实施例还涉及极紫外光刻的方法、执行光刻的方法和极紫外光刻系统。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及极紫外光刻的方法、执行光刻的方法和极紫外光刻系统。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小和更复杂的电路。在ic演化的过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))减少。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

2、为了实现这些进步，需要ic处理和制造中的类似发展。例如，执行更高分辨率光刻工艺的需求增加。一种光刻技术是极紫外(euv)光刻。euv光刻采用扫描仪，该扫描仪使用具有约1-100nm波长的极紫外区域中的光。euv扫描仪使用反射光学元件而非折射光学元件，即反射镜而非透镜。然而，虽然现有的光刻技术对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在每个方面都已完全令人满意。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供了一种用于极紫外(euv)光刻的方法，所述方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于极紫外(EUV)光刻的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设计数据包括图案密度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，收集所述热数据包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热管理动作为向第一气体喷口的所述热调节组件提供所述指令以提供气流。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述气流低于22℃。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述热管理动作还包括向第二气体喷口的所述热调节组件提供所述指令以提供另一气流。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，来自所述第一气体喷口的气流...

【技术特征摘要】

1.一种用于极紫外(euv)光刻的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述设计数据包括图案密度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，收集所述热数据包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热管理动作为向第一气体喷口的所述热调节组件提供所述指令以提供气流。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述气流低于22℃。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述热...

【专利技术属性】
技术研发人员：王家伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：