封装结构及其形成方法技术

一种形成封装结构的方法包括在晶圆的半导体衬底上形成集成电路器件，在晶圆中形成电压调节器，以及形成金属层作为晶圆的一部分。晶体管形成在比金属层离更远离半导体衬底处。晶体管包括连接到电压调节器的第一源极/漏极区，并且电压调节器被配置为将从第一源极/漏极区接收到的第一电压转换为低于第一电压的第二电压，并将第二电压提供给集成电路器件。电连接器形成在晶圆的表面上，并电连接到晶体管的第二源极/漏极区。本申请的实施例还公开了一种封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及封装结构及其形成方法。

技术介绍

1、集成电路可能需要多电平供电电压。例如，集成电路使用的供电电压可以包括12v、5v、3.3v和0.9v。因此，可以使用多个电压调节器来产生不同电平的电压。多个电压调节器可以位于多个管芯中，以实现到不同电压电平的电压转换。

技术实现思路

1、根据本申请实施例的一个方面，提供了一种形成封装结构的方法，包括：在晶圆的半导体衬底上形成集成电路器件；在晶圆中形成电压调节器；形成第一金属层作为晶圆的一部分；形成比第一金属层更远离半导体衬底的晶体管，其中，晶体管包括连接到电压调节器的第一源极/漏极区，并且电压调整器被配置为将从第一源极/漏极区接收到的第一电压转换为低于第一电压的第二电压，并将第二电压提供给集成电路器件；以及在晶圆的表面上形成电连接器，其中，电连接器电连接到晶体管的第二源极/漏极区。

2、根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种封装结构，包括：器件管芯，器件管芯包括：半导体衬底；位于半导体衬底的表面上的集成电路器件；电压调节器，电压调节器包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成封装结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述功率管芯被配置为将交流电转换为所述第一电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的方法，还包括形成比所述第一金属层更远离所述半导体衬底的第二金属层，其中，所述金属氧化物层形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间。

6.一种封装结构，包括：

7.根据权利要求6所述的结构，还包括：

8.根据权利要求6所述的封装结构，其中，所述器件管芯还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种形成封装结构的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述功率管芯被配置为将交流电转换为所述第一电压。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述晶体管包括：

5.根据权利要求4所述的方法，还包括形成比所述第一金属层更远离所述半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：周智超，王志豪，蔡庆威，邱奕勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：