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一种形成封装结构的方法包括在晶圆的半导体衬底上形成集成电路器件，在晶圆中形成电压调节器，以及形成金属层作为晶圆的一部分。晶体管形成在比金属层离更远离半导体衬底处。晶体管包括连接到电压调节器的第一源极/漏极区，并且电压调节器被配置为将从第一源...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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