【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及封装器件及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体器件领域中集成密度增加，需要封装中增加的密度。材料特性(诸如热膨胀系数(cte))中的差异可能引起用于这种封装器件的性能和可靠性问题。作为实例，当集成电路管芯接合至衬底并且嵌入在保护材料(诸如氧化物)内时，保护材料和封装结构的其它组件之间的cte失配可能引起应力，在一些情况下导致分层并且在一些情况下潜在地导致剥离或裂缝。因此，需要结构和方法来改进封装半导体器件的性能和可靠性。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成封装器件的方法，所述方法包括：将顶部管芯接合至底部衬底；通过实施介电沉积工艺在所述底部衬底上方和所述顶部管芯周围沉积介电层；以及在所述介电层中形成腔，所述腔邻近所述顶部管芯的至少一侧，其中，所述腔配置为减轻所述顶部管芯上由所述介电层和所述封装器件的组件之间的热膨胀系数(cte)失配引起的应力。
2、本申请的又一些实施例提供了一种形成封装器件的方法，所述方法包括：将集成电路管芯安装在衬底上；将...
【技术保护点】
1.一种形成封装器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述介电层中形成所述腔的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介电沉积工艺在沉积室中实施，并且进一步其中，所述参数是在所述介电沉积工艺期间引入至所述沉积室中的前体气体的比率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述介电层中形成所述腔的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在将所述介电层的所述表面接合至所述底部衬底的所述表面的步骤之前，用气体填充所述沟槽，所述气体选自由空气、氮、惰性气体和稀有气体以及它们的组合组
【技术特征摘要】
1.一种形成封装器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述介电层中形成所述腔的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述介电沉积工艺在沉积室中实施，并且进一步其中，所述参数是在所述介电沉积工艺期间引入至所述沉积室中的前体气体的比率。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述介电层中形成所述腔的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在将所述介电层的所述表面接合至所述底部衬底的所述表面的步骤之前，用气体填充所述沟槽，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：锺明慈，林咏淇，蔡延佐，薛仰志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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