形成半导体器件的方法技术

提供了形成堆叠多栅极器件的金属栅极结构的方法。根据本公开实施例的方法包括：在包括底部沟道层和顶部沟道层的沟道区域上方沉积氮化钛(TiN)层；沉积伪填充层以覆盖底部沟道层的侧壁；在沉积伪填充层之后，沿顶部沟道层的侧壁在TiN层上方选择性形成阻挡层；选择性去除伪填充层以释放底部沟道层；选择性沉积第一功函金属层以包裹底部沟道层的每个；在第一功函金属层的顶面上方形成栅极隔离层；去除阻挡层；释放顶部沟道层；以及选择性沉积第二功函金属层以包裹顶部沟道层的每个。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及形成半导体器件的方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

2、例如，随着ic技术朝着更小的技术节点发展，已经引入多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止态电流以及减小短沟道效应(sce)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。鳍状场效应晶体管(finfet)和多桥沟道(mbc)晶体管是多栅极器件的实例，多栅极器件已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。finfet具有在多于一侧上由栅极包裹的升高沟道(例如，栅极包裹半导体材料的从衬底延伸的“鳍”的顶部和侧壁)。mbc晶体管具有可以部分或完全在沟道区域周围延伸的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在选择性沉积所述第一功函金属层期间，很少或没有所述第一功函金属层沉积在所述阻挡层上。

3.根据权利要求1所述的方法，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述选择性去除包括选择性去除所述第一多个介电插塞层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，释放所述顶部沟道层包括选择性去除所述第二多个介电插塞层。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一多个介电插塞层和所述第二多个介电插塞层包括氧化铝。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在选择性沉积所述第一功函金属层期间，很少或没有所述第一功函金属层沉积在所述阻挡层上。

3.根据权利要求1所述的方法，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述选择性去除包括选择性去除所述第一多个介电插塞层。

5.根据权利要求3所述的方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野谦一，陈怡秀，林斌彦，温伟源，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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