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提供了形成堆叠多栅极器件的金属栅极结构的方法。根据本公开实施例的方法包括：在包括底部沟道层和顶部沟道层的沟道区域上方沉积氮化钛(TiN)层；沉积伪填充层以覆盖底部沟道层的侧壁；在沉积伪填充层之后，沿顶部沟道层的侧壁在TiN层上方选择性形成阻...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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