半导体结构及其形成方法和晶体管技术

提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性半导体结构包括第一晶体管。第一晶体管包括：第一栅极结构，包裹设置在衬底上方的多个第一纳米结构；第一源极/漏极部件，电耦合至多个第一纳米结构的最顶部纳米结构，并且通过第一介电层与多个第一纳米结构的最底部纳米结构隔离；以及第一半导体层，设置在衬底和第一源极/漏极部件之间，其中，第一源极/漏极部件与第一半导体层的顶面直接接触。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法和晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法和晶体管。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

2、例如，随着集成电路(ic)技术朝着更小的技术节点发展，引入了多栅极器件，以通过增加栅极-沟道耦合、减小截止状态电流以及减小短沟道效应(sce)来改进栅极控制。多栅极器件通常是指具有设置在沟道区域的多于一侧上方的栅极结构或其部分的器件。鳍状场效应晶体管(finfet)和全环栅(gaa)晶体管是多栅极器件的实例，多栅极器件已经成为用于高性能和低泄漏应用的流行和有前途的候选器件。finfet具有在多于一侧上由栅极包裹的升高沟道(例如，栅极包裹从衬底延伸的半导体材料“鳍”的顶部和侧壁)。全环栅(gaa)晶体管具有可以部分或完全在沟道区域周围延伸以在两侧或多侧上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一介电层沿所述第一半导体层的侧壁表面延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一晶体管还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一介电层的部分设置在所述多个内部间隔件部件的所述最底部内部间隔件部件的顶面上方并且与所述多个内部间隔件部件的所述最底部内部间隔件部件的顶面直接接触。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一半导体层的侧壁表面与所述第一介电层和所述多个内部间隔件部件的所述最底部内部间隔件部件直接接触。

6....

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一介电层沿所述第一半导体层的侧壁表面延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一晶体管还包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述第一介电层的部分设置在所述多个内部间隔件部件的所述最底部内部间隔件部件的顶面上方并且与所述多个内部间隔件部件的所述最底部内部间隔件部件的顶面直接接触。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述第一半导体层的侧壁表面与所述第一介电层和所述多个内部间隔件部件的所述最底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣宏，陈仕承，庄宗翰，蓝文廷，蔡佳澄，江国诚，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：