【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其它电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导体层以及使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路组件和元件来制造。
2、半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断改进各个电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成至给定区中。随着半导体工业进一步朝着增加器件密度、更高性能和更低成本的方向发展，来自制造和设计的挑战已经导致了堆叠器件配置，诸如堆叠晶体管，这包括互补场效应晶体管(cfet)。然而，随着最小部件尺寸减小，引入了额外的部件。
技术实现思路
1、本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体器件中形成开口；以及在所述开口中沉积目标金属层，其中，沉积所述目标金属层包括实施多个沉积循环，并且其中，所述多个沉积循环的初始沉积循环包括：在所述开口中流动第一前体，其中...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体具有比所述第二前体大的粘附系数。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体是金属卤化物，并且所述第二前体是羰基金属。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在流动所述第一前体之后，所述第一前体的浓度沿朝着所述开口的底部的方向降低。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在流动所述第二前体之后，所述第二前体的浓度沿朝着所述开口的底部的方向增加。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括在流动所述反应物时控制工艺参数，从...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体具有比所述第二前体大的粘附系数。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一前体是金属卤化物，并且所述第二前体是羰基金属。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，在流动所述第一前体之后，所述第一前体的浓度沿朝着所述开口的底部的方向降低。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在流动所述第二前体之后，所述第二前体的浓度沿朝着所述开口的底部的方向增加。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨恺洁，胡宽侃，温伟源，杨固峰，廖思雅，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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