半导体器件及其形成方法技术

器件包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于衬底上并且定位在鳍上方；栅极结构，包裹半导体沟道；源极/漏极，邻接半导体沟道；内部间隔件，定位在半导体沟道堆叠件和鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近源极/漏极并且横向邻近鳍；以及隔离结构，隔离结构横向围绕未掺杂半导体层，隔离结构位于源极/漏极和内部间隔件之间。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)工业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即，每芯片区的互连器件的数量)普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件(或线))已经减小。这种缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这样的缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。

技术实现思路

1、本申请的一些实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底，具有半导体鳍；半导体沟道堆叠件，位于所述衬底上并且定位在所述鳍上方；栅极结构，包裹所述半导体沟道；源极/漏极，邻接所述半导体沟道；内部间隔件，定位在所述半导体沟道堆叠件和所述鳍之间；未掺杂半导体层，垂直邻近所述源极/漏极并且横向邻近所述鳍；以及隔离结构，所述隔离结构横向围绕所述未掺杂半导体层，所述隔离结构位于所述源极/漏极和所述内部间隔件之间。

2、本申请的另一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构具有在约1纳米至约3纳米的范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构与所述源极/漏极直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：底部隔离层，所述隔离结构通过所述底部隔离层与所述源极/漏极分隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：注入区域，位于所述未掺杂半导体层和所述源极/漏极之间，所述注入区域中的第一类型掺杂剂物质与所述源极/漏极的第二类型相反。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：第二半...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构具有在约1纳米至约3纳米的范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述隔离结构与所述源极/漏极直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：底部隔离层，所述隔离结构通过所述底部隔离层与所述源极/漏极分隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：注入区域，位于所述未掺杂半导体层和所述源极/漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣宏，陈仕承，庄宗翰，张复成，蓝文廷，蔡佳澄，江国诚，王志豪，黄旺骏，黄士轩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：