提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，示例性方法包括在第一鳍形有源区域上方沉积伪栅极材料层，图案化伪栅极材料层以形成伪栅电极，其中伪栅电极在第一鳍形有源区域和伪栅电极之间的界面处具有基脚部件，氧化基脚部件和伪栅电极的侧壁部分以形成介电栅极间隔件，以及用栅极结构替换伪栅电极的剩余部分。
【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)工业已经经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了多代ic，其中每一代都具有比前一代更小和更复杂的电路。在ic演化过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造ic的复杂性，为了实现这些进步，需要ic处理和制造中的类似发展。
2、三维场效应晶体管(诸如鳍式fet(finfet)和全环栅(gaa)fet(gaa-fet))已被整合到各种存储器和核心器件中，以减小ic芯片占用面积，同时保持合理的处理裕度。虽然形成这些fet的方法通常是足够的，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。例如，降低栅极结构和形成在源极/漏极部件上方的相邻源极/漏极接触件之间的寄生电容仍然是挑战。因此，至少出于这个原因，制造finfet、gaa-fet等的方法中的改进是期望的。
>技术实现思路本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理的执行包括氧化所述栅电极的所述辅助部分和所述主要部分的所述侧部，并且其中，所述第一介电间隔件包括氧化硅或氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件还包括与所述器件区域相邻的连接件区域，其中，所述连接件区域包括隔离部件，所述隔离部件位于所述衬底上并且与所述鳍形有源区域的底部直接接触，并且其中，在所述顶视图中，所述栅电极...
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理的执行包括氧化所述栅电极的所述辅助部分和所述主要部分的所述侧部，并且其中，所述第一介电间隔件包括氧化硅或氮氧化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，还包括：
5.根据权利要求3所述的方法，还包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工件还包括与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王贻泓，龚晖轩，董耀中，黄以理，李怡蓁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。