互连结构制造技术

技术编号:43835230 阅读:19 留言:0更新日期:2024-12-31 18:33
本技术实施例涉及互连结构。互连结构包括被邻接介电质包围并设置在衬底上的第一金属线和第二金属线。第一介电层设置在第一金属线上,具有贯孔延伸穿过第一介电层并上覆于第一金属线的第一接点区。第二介电层设置在第一介电层、第一金属线和第二金属线上,具有第一介层孔和第二介层孔延伸穿过第二介电层,第一介层孔连接贯孔并上覆于第一接点区,第二介层孔上覆于第二金属线的第二接点区。第一通孔设置在第一接点区上并沿贯孔、第一介层孔和第二介电层的第一上表面延伸。第二通孔设置在第二接点区上并沿第二介层孔、第二介电层的第二上表面延伸。第一通孔包括第一凸缘,第一凸缘加衬于第一介电层的上表面并连接第一介电层和第二介电层的侧壁。

【技术实现步骤摘要】

本技术实施例涉及一种互连结构


技术介绍

1、互连结构包括将两个或多个电路组件(例如晶体管、电源、信号输入等)电连接在一起的导电特征。互连结构包括集成电路的片上(on-chip)互连和异构系统集成中的片外(off-chip)互连。在互连设计中,几何尺寸(宽度、厚度、间距(spacing)、纵横比、节距(pitch))、材料、工艺控制和设计布局对于适当的互连功能、性能、功率效率、可靠性和制造良率至关重要。


技术实现思路

1、在一些实施例中,本技术涉及一种互连结构。互连结构包括被邻接介电质包围并设置在衬底上的第一金属线和第二金属线。第一介电层设置在所述第一金属线上,具有贯孔延伸穿过所述第一介电层并上覆于所述第一金属线的第一接点区。第二介电层设置在所述第一介电层、所述第一金属线和所述第二金属线上,具有第一介层孔和第二介层孔延伸穿过所述第二介电层,所述第一介层孔连接所述贯孔并上覆于所述第一接点区,所述第二介层孔上覆于所述第二金属线的第二接点区。第一通孔设置在所述第一接点区上并沿所述贯孔、所述第一介层孔和所述第二介电层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种互连结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述第一介层孔具有大于所述通孔的顶部横向尺寸的底部横向尺寸。

3.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,从布局图来看,所述第二介层孔为正方形,其边长介于所述贯孔的边长和所述第一通孔的边长之间。

4.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述第一金属线和所述第二金属线中每一者包括围绕金属主体的底部和侧壁表面的阻障层,且其中所述第一通孔和所述第二通孔接触所述阻障层和所述金属主体。

5.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,所述第一通孔包括第二凸缘,所...

【技术特征摘要】

1.一种互连结构,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述第一介层孔具有大于所述通孔的顶部横向尺寸的底部横向尺寸。

3.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,从布局图来看,所述第二介层孔为正方形,其边长介于所述贯孔的边长和所述第一通孔的边长之间。

4.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述第一金属线和所述第二金属线中每一者包括围绕金属主体的底部和侧壁表面的阻障层,且其中所述第一通孔和所述第二通孔接触所述阻障层和所述金属主体。

5.根据权利要求4所述的互连结构,其特征在于,所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:游耀鸿何大椿吴国铭陈盈德陈益民
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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