【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)影像感测器可包括多个像素感测器。cmos影像感测器的像素感测器可包括转移晶体管，转移晶体管可包括用以将入射光的光子转换为电子的光电流的光电二极管以及用以控制光电二极管与漏极区之间的光电流的流动的转移栅极。漏极区可用以接收光电流，使得光电流可经量测及/或转移至cmos影像感测器的其他区域。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施方式提供一种半导体装置，包含多个像素感测器的阵列以及深沟槽隔离结构。这些像素感测器的阵列包含光电二极管，其由至少一个隔离结构实体分区，其中至光电二极管的入射光由至少一个隔离结构相分离开。深沟槽隔离结构，至少部分地围绕阵列的这些像素感测器。
2、本揭露的一些实施方式提供一种半导体装置，包含多个像素感测器的阵列及深沟槽隔离结构。这些像素感测器的阵列包含光电二极管，其由至少一个隔离结构实体分区，其中至光电二极管的入...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一个隔离结构包含多个高吸收结构。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中所述多个高吸收结构中的各者具有范围自0.2微米至1.0微米的一宽度。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一个隔离结构包含一浅深沟槽隔离结构。
5.一种半导体装置，其特征在于，包含：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中该光电二极管的该轴是该阵列的一垂直轴。
7.如权利要求5所述的半导体...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一个隔离结构包含多个高吸收结构。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中所述多个高吸收结构中的各者具有范围自0.2微米至1.0微米的一宽度。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该至少一个隔离结构包含一浅深沟槽隔离结构。
5.一种半导体装置，其特征在于，包含：
6.如权利要求5所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢丰键，郑允玮，胡维礼，李国政，吴振铭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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