【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种半导体装置。
技术介绍
1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在很大程度上，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的不断减小，这使得更多的组件可以集成到给定的区域中。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种半导体装置。半导体装置包括第一记忆体单元、第二记忆体单元、第三记忆体单元和第四记忆体单元，操作性地排列于多个列的第一列，并且分别操作性地排列于多个行的第一行、第二行、第三行和第四行。第一列操作性地对应第一对位元线和第二对位元线，第一行至第四行分别对应第一字元线、第二字元线、第三字元线和第四字元线。第一对位元线操作性地耦合第一记忆体单元和第二记忆体单元，第二对位元线操作性地耦合第三记忆体单元和第四记忆体单元。第一对位元线沿第一横向方向物理性地延伸穿过形成有第一记忆体单元和第二记忆体单元的基板的第一部分并终止于形成有第三记忆体单元和第四记忆体单元的基板的第二部分，第二对位元线沿着第一横向方向物理性地延伸穿过第一部
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元至该第四记忆体单元分别是基于一四接触多晶硅间距晶体管架构形成。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元沿一第二横向方向与该第二记忆体单元相邻，该第三记忆体单元沿该第二横向方向与该第四记忆体单元相邻，该第二横向方向垂直于该第一横向方向。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元与该第三记忆体单元沿该第一横向方向对齐但物理性地分隔，该第二记忆体单元与该第四记忆体单元沿该第一横向方...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元至该第四记忆体单元分别是基于一四接触多晶硅间距晶体管架构形成。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元沿一第二横向方向与该第二记忆体单元相邻，该第三记忆体单元沿该第二横向方向与该第四记忆体单元相邻，该第二横向方向垂直于该第一横向方向。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一记忆体单元与该第三记忆体单元沿该第一横向方向对齐但物理性地分隔，该第二记忆体单元与该第四记忆体单元沿该第一横向方向对齐物理性地分隔。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：粘逸昕，林志宇，藤原英弘，陈炎辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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