【技术实现步骤摘要】
本技术的实施例涉及一种集成芯片。
技术介绍
1、现代集成芯片使用范围广泛的元件来实现不同的功能。一般来说，集成芯片包括有源元件和无源元件。有源元件包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet))，而无源元件包括电感、电容和电阻。电阻广泛用于电阻电容(rc)电路、电源驱动器、功率放大器、射频(rf)应用等许多应用中。
技术实现思路
1、在本技术的一些实施例中，集成芯片包括：半导体衬底；介电结构，设置在半导体衬底上方；电阻结构，设置在介电结构内，其中电阻结构包括薄膜电阻(tfr)层以及设置在薄膜电阻层上的第一覆盖结构；以及第一孔穴，设置在介电结构内且邻接第一覆盖结构的第一侧壁。
2、在本技术的另一些实施例中，集成芯片包括：半导体衬底；介电结构，设置在半导体衬底上方；电阻结构，设置在介电结构内，其中电阻结构包括薄膜电阻(tfr)层、第一覆盖结构以及第二覆盖结构，其中第一覆盖结构和第二覆盖结构分别设置在薄膜电阻层的相对侧；多个导通孔，设置在介电结构内且设置在第一覆盖结构...
【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述薄膜电阻层的第一热膨胀系数小于所述第一覆盖结构的第二热膨胀系数。
3.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴的第三热膨胀系数大于所述第二热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴横向延伸超过所述薄膜电阻层的上表面。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述电阻结构还包括：
6.一种集成芯片，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的集成芯片，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述薄膜电阻层的第一热膨胀系数小于所述第一覆盖结构的第二热膨胀系数。
3.根据权利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴的第三热膨胀系数大于所述第二热膨胀系数。
4.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴横向延伸超过所述薄膜电阻层的上表面。
5.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述电阻结构还包括：
6.一种集成芯片，其特征在于，包括：
7...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊纮，吴锡荣，黄俊杰，萧茹雄，梁育玮，张寓钧，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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