集成电路封装件及其形成方法技术

技术编号:43971985 阅读:9 留言:0更新日期:2025-01-10 20:00
本发明专利技术提供了一种集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括具有第一衬底和延伸穿过第一衬底的第一通孔的第一管芯、沿着第一衬底的侧壁的第一间隙填充层、第一衬底的表面和第一间隙填充层的表面上的隔离层、隔离层上的第一接合层以及第一接合层中的第一接合焊盘。隔离层可以与第一衬底的侧壁和第一间隙填充层的侧壁之间的界面重叠,并且可以在第一通孔的侧壁上延伸。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及集成电路封装件及其形成方法


技术介绍

1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高,半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下,集成密度的提高是由于最小部件尺寸的迭代减小,这使得更多的组件可以集成到给定的区域中。随着对缩小电子器件需求的增长,也出现了对更小、更具创意的半导体管芯封装技术的需求。


技术实现思路

1、根据本申请的实施例的一个方面,提供了一种集成电路封装件,包括:第一管芯,其中,第一管芯包括第一衬底和延伸穿过第一衬底的第一通孔;第一间隙填充层,沿着第一衬底的侧壁;隔离层,位于第一衬底的表面和第一间隙填充层的表面上,其中,隔离层与第一衬底的侧壁和第一间隙填充层的侧壁之间的界面重叠,并且其中隔离层在第一通孔的侧壁上延伸;第一接合层,位于隔离层上;以及第一接合焊盘,位于第一接合层中。

2、根据本申请的实施例的另一个方面,提供了一种集成电路封装件,包括:第一管芯,其中,第一管芯包括第一衬底和从第一衬底的顶面突出的第一通孔;第一间隙填充层,围绕第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中,所述第一接合焊盘直接位于所述第一间隙填充层上方,并且其中,所述第一接合焊盘通过所述隔离层与所述第一间隙填充层隔开。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中,所述第一接合焊盘与所述隔离层接触,并且其中,所述第一接合焊盘与电路系统电隔离。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装件,还包括位于所述第一接合层中的第二接合焊盘,其中,所述第二接合焊盘与所述第一通孔接触,并且其中,所述第二接合焊盘电耦合到电路系统。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装件,还包括位于所述第...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中,所述第一接合焊盘直接位于所述第一间隙填充层上方,并且其中,所述第一接合焊盘通过所述隔离层与所述第一间隙填充层隔开。

3.根据权利要求1所述的集成电路封装件,其中,所述第一接合焊盘与所述隔离层接触,并且其中,所述第一接合焊盘与电路系统电隔离。

4.根据权利要求1所述的集成电路封装件,还包括位于所述第一接合层中的第二接合焊盘,其中,所述第二接合焊盘与所述第一通孔接触,并且其中,所述第二接合焊盘电耦合到电路系统。

5.根据权利要求1所述的集成电路封装件,还包括位于所述第一接合层和所述隔离层之间的蚀刻停止层,其中,所述第一接合焊盘延伸穿过所述蚀刻停止层。...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈怡秀蔡嘉芳廖明筠江俞谦
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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