源极/漏极结构掺杂剂集群设计制造技术

本公开涉及源极/漏极结构掺杂剂集群设计。本公开描述了一种具有带掺杂剂集群的源极/漏极结构的半导体器件。该半导体器件包括衬底上的沟道结构、以及衬底上并临近沟道结构的源极/漏极结构。源极/漏极结构包括衬底上的第一外延层、沟道结构的侧壁和第一外延层上的第二外延层、以及第二外延层上的第三外延层。第二外延层包括沿沟道结构的方向延伸的掺杂剂的集群。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及源极/漏极结构掺杂剂集群设计。

技术介绍

1、随着半导体技术的进步，对于更大存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求日益增长。为了满足这些需求，半导体行业持续缩小半导体器件的尺寸，如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，包括平面mosfet和鳍式场效应晶体管(finfet)。这种缩小增加了半导体制造工艺的复杂性，并增加了半导体器件的工艺控制的难度。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：沟道结构，位于衬底上；以及外延结构，位于所述衬底上并邻近所述沟道结构，其中，所述外延结构包括：第一外延层，位于所述沟道结构的侧壁上，其中，所述第一外延层包括沿所述沟道结构的方向延伸的掺杂剂的集群；以及第二外延层，位于所述第一外延层上。

2、根据本公开的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一沟道结构和第二沟道结构，位于衬底上；以及源极/漏极(s/d)结构，位于所述第一沟道结构和所述第二沟道结构之间，其中，所述s/d结构包括：第一外延层，位于所述第一沟道结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述集群中的所述掺杂剂的第一浓度大于所述第一外延层中的所述掺杂剂的第二浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一浓度为所述第二浓度的至少十倍。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一浓度大于5×1020原子/cm3。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一外延层进一步包括沿所述第一外延层和所述第二外延层之间的界面延伸的所述掺杂剂的附加集群。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述附加集群沿所述第一外延层的(111...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述集群中的所述掺杂剂的第一浓度大于所述第一外延层中的所述掺杂剂的第二浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一浓度为所述第二浓度的至少十倍。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一浓度大于5×1020原子/cm3。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一外延层进一步包括沿所述第一外延层和所述第二外延层之间的界面延伸的所述掺杂剂的附加集群。

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林衍廷，郭建亿，游明华，李启弘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：