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本公开涉及源极/漏极结构掺杂剂集群设计。本公开描述了一种具有带掺杂剂集群的源极/漏极结构的半导体器件。该半导体器件包括衬底上的沟道结构、以及衬底上并临近沟道结构的源极/漏极结构。源极/漏极结构包括衬底上的第一外延层、沟道结构的侧壁和第一外延...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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