半导体结构及其形成方法技术

半导体结构包括隔离层；位于隔离层上方的第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极(S/D)金属电极；横向地设置在第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之间的金属栅极；位于金属栅极的底表面和侧壁表面上的铁电层；以及氧化物半导体层。氧化物半导体层包括位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极下方的第一部分；位于铁电层下方并且比第一部分厚的第二部分；分别位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之上的第三部分；以及分别位于第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极的侧壁上并且将第三部分连接到第二部分的第四部分。本发明专利技术的实施例还提供了形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)行业经历了指数级增长。ic材料和设计中的技术进步已经产生了几代ic，其中每一代都具有比上一代更小且更复杂的电路。在ic发展的过程中，功能密度(即每芯片面积的互连器件的数量)通常普遍增加，而几何尺寸(即使用制造工艺可以创建的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了处理和制造ic的复杂性。因此，半导体制造工艺需要不断改进。

2、改进的一个领域是铁电(fe)场效应晶体管(fet)(或fefet)制造工艺。fefet是集成到cmos后段制程(beol)工艺的有吸引力的候选器件，用于存储器中计算和其他应用。现有方法有时会受到源极/漏极金属与氧化物半导体沟道之间的接触面积低、有效沟道宽度低以及栅极形成后热工艺对阈值电压的负面影响。

技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：隔离层；第一源极/漏极(s/d)金属电极和本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一源极/漏极金属电极和所述第二源极/漏极金属电极中的每个包括Mo、Ti、Pd、W、Co、Cr、Cu、Ni、Ta、Pt、Au、Al、TiW、TiN、TaN、WN或WCN。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属栅极包括Mo、Ti、Pd、W、Co、Cr、Cu、Ni、Ta、Pt、Au、Al、TiW、TiN、TaN、WN或WCN。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述铁电层包括Hf1-xZrxO2、BaMgF4、BaTiO3-PbZrO、(Ba,Sr)TiO3、B...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一源极/漏极金属电极和所述第二源极/漏极金属电极中的每个包括mo、ti、pd、w、co、cr、cu、ni、ta、pt、au、al、tiw、tin、tan、wn或wcn。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述金属栅极包括mo、ti、pd、w、co、cr、cu、ni、ta、pt、au、al、tiw、tin、tan、wn或wcn。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述铁电层包括hf1-xzrxo2、bamgf4、batio3-pbzro、(ba,sr)tio3、bi4ti3o12、linbo3、litao3、(pb,la)tio3、(pb,la)(zr,ti)o3、pb(zr,ti)o3、srbi2ta2o9、bi4-xlaxti3o12、bifeo3、ymno3、ybmno3、bimno3、pb(fe0.5w0.5)3或hfo2。

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【专利技术属性】
技术研发人员：林孟汉，黄家恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：