半导体芯片架构及其制造方法技术

提供一种半导体芯片架构及其制造方法，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工艺线前端(FEOL)层，该FEOL层包括在晶片的第一侧上的半导体器件、在晶片中的浅沟槽隔离(STI)结构以及在半导体器件和晶片上的层间电介质(ILD)结构；提供在FEOL层上的工艺线中段(MOL)层，该MOL层包括接触和连接到该接触的通路；绝缘层，在晶片的第一侧上并在水平方向上与通路相邻；以及电源轨，从晶片的与第一侧相对的第二侧穿透晶片，其中通路在垂直方向上延伸穿过ILD结构、STI结构和晶片以接触电源轨。

【技术实现步骤摘要】

本公开的示例实施方式涉及一种包括在半导体芯片架构中的反向高深宽比接触(harc)结构及其制造方法。

技术介绍

1、随着半导体芯片架构中包括的晶体管的尺寸减小，正在开发多堆叠半导体芯片以在有限面积内以紧凑尺寸垂直地堆叠多个晶体管。为了实现多堆叠半导体芯片架构(诸如三维(3d)堆叠半导体芯片架构或背侧电源轨半导体芯片架构)，需要高深宽比接触(harc)结构。然而，在harc结构制造工艺中，可能难以对准例如harc通路和接触结构。在harc通路和接触结构之间引起的未对准可能导致半导体芯片架构的性能下降。

2、在本背景部分中公开的信息在实现本申请的实施方式之前已经为专利技术人所知，或者是在实现实施方式的过程中获得的技术信息。因此，它可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、一个或更多个示例实施方式提供一种包括在半导体芯片架构中的反向高深宽比接触(harc)结构及其制造方法。

2、根据示例实施方式的一方面，提供一种半导体芯片架构，该半导体芯片架构包括：晶片；在晶片的第一侧上的工本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体芯片架构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述通路是高深宽比接触(HARC)通路，其在所述垂直方向上穿透所述层间电介质结构和所述晶片以接触所述电源轨。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述绝缘层在所述垂直方向上从所述接触的上表面的水平延伸到所述浅沟槽隔离结构的上表面，并在所述水平方向上直接接触所述通路的侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述半导体器件包括栅极结构和提供在所述栅极结构的侧表面上的第一间隔物层，以及

5.根据权利要求4所述的半导体芯片架构，还包括在与所述第一间隔物...

【技术特征摘要】

1.一种半导体芯片架构，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述通路是高深宽比接触(harc)通路，其在所述垂直方向上穿透所述层间电介质结构和所述晶片以接触所述电源轨。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述绝缘层在所述垂直方向上从所述接触的上表面的水平延伸到所述浅沟槽隔离结构的上表面，并在所述水平方向上直接接触所述通路的侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片架构，其中所述半导体器件包括栅极结构和提供在所述栅极结构的侧表面上的第一间隔物层，以及

5.根据权利要求4所述的半导体芯片架构，还包括在与所述第一间隔物层延伸的方向垂直的方向上延伸的第二间隔物层，

6.根据权利要求3所述的半导体芯片架构，其中所述绝缘层包括硅氮化物(sin)、硅碳氮化物(sicn)和被离子掺杂的碳(c)中的一种。

7.一种半导体芯片架构，包括：

8.根据权利要求7所述的半导体芯片架构，其中所述通路是高深宽比接触(harc)通路，其在所述垂直方向上穿透所述层间电介质结构和所述晶片以接触所述电源轨。

9.根据权利要求7所述的半导体芯片架构，其中所述半导体器件包括栅极结构和直接在所述栅极结构的侧表面上的间隔物层，

10.根据权利要求9所述的半导体芯片架构，其中所述栅极多边形切割图案在与所述栅极结构延伸的方向垂直的方向上延伸，并在所述水平方向上与...

【专利技术属性】
技术研发人员：咸富铉，洪炳鹤，郑明勋，洪元赫，李昇映，徐康一，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：