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半导体结构包括隔离层；位于隔离层上方的第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极(S/D)金属电极；横向地设置在第一源极/漏极金属电极和第二源极/漏极金属电极之间的金属栅极；位于金属栅极的底表面和侧壁表面上的铁电层；以及氧化物半导体层。氧化物半...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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