【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
1、内存装置被用于各种各样的应用中。内存装置由通常被布置成由多个列及多个行形成的数组的多个内存单元(memory cell)构成。一种类型的内存单元包括动态随机存取内存(dynamic random access memory，dram)单元。在一些应用中，由于动态随机存取内存单元相对于例如静态随机存取内存(static random access memory，sram)单元或其他类型的内存单元而言成本更低、面积更小且能够保持更大量的数据，因此可选择基于动态随机存取内存单元的内存装置，而非基于其他类型的内存单元的内存装置。
技术实现思路
1、本技术的一实施例提供一种半导体装置，包括多个后段介电层及非挥发性内存结构。非挥发性内存结构包括于所述多个后段介电层中。非挥发性内存结构包括：闸极结构；通道层，位于闸极结构上方；第一源极/汲极区及第二源极/汲极区，位于通道层上方；第一内连线结构，位于第一源极/汲极区上方且与第一源极/汲极区耦合，其中第一内连线结构与半导体装置中的位线导电结构耦合；第二内连线结构，位于第二源极/汲极区上方且与第二源极/汲极区耦合，其中第二内连线结构相邻于半导体装置中的选择线导电结构，且其中所述多个后段介电层中的一个后段介电层的一部分位于第二内连线结构与选择线导电结构之间。
2、本技术的另一实施例提供一种一种半导体装置的制作方法包括：在半导体装置中形成字符线导电结构；在字符线导电结构上方形成多个后段制程介电层；在字符
3、本技术的又一实施例提供一种半导体装置，包括多个后段介电层、挥发性内存数组及非挥发性内存数组。挥发性内存数组位于所述多个后段介电层中，且包括多个挥发性内存结构。非挥发性内存数组位于所述多个后段介电层中，且包括多个非挥发性内存结构。所述多个非挥发性内存结构中的一个非挥发性内存结构包括与所述多个后段介电层中的一个后段介电层的一部分对应的可程序化电阻式内存单元区。
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非挥发性内存结构是可变电阻式内存结构；并且
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非挥发性内存结构是一次性可程序化反熔丝内存结构；并且
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个后段介电层中的一者的位于所述第二内连线结构与所述选择线导电结构之间的所述部分包含氧化物介电材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二内连线结构的顶表面在所述第一内连线结构的顶表面上方延伸。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二内连线结构的顶表面在所述位线导电结构的顶表面上方延伸。
7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二内连线结构的顶表面在所述选择线导电结构的顶表面上方延伸。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一源极/汲极区与所述第二源极/汲极区皆在所述半导体装置的俯视图中在第一方向上延伸；
9.如权利要求8所述的半导体装置，其特
10.一种半导体装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非挥发性内存结构是可变电阻式内存结构；并且
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述非挥发性内存结构是一次性可程序化反熔丝内存结构；并且
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个后段介电层中的一者的位于所述第二内连线结构与所述选择线导电结构之间的所述部分包含氧化物介电材料。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二内连线结构的顶表面在所述第一内连线结构的顶表面上方延伸。
6.如权利要求1所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：高韵峯，姜慧如，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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