【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及芯片堆叠。
技术介绍
1、芯片堆叠的示例包括其中将一个芯片(也称为顶部芯片或第二芯片)翻转并且键合到另一芯片(也称为底部芯片或第一芯片)的结构。换句话说，可将顶部芯片的前侧键合到底部芯片的前侧，使得顶部芯片的背侧和底部芯片的背侧可用于电气连接和其他功能。
2、例如，当顶部芯片为光学传感器芯片时，光学感测元件可以设置在顶部芯片的背侧上或靠近顶部芯片的背侧，使得入射在顶部芯片的暴露背侧上的光可以容易地到达光学感测元件。更一般地，这种芯片堆叠技术使得可以在堆叠芯片的电路/器件之间形成可靠的、低延迟连接。
3、这些堆叠芯片通常包括设置在底部芯片的底部晶圆材料与顶部芯片的顶部晶圆材料之间的绝缘材料，例如氧化物。此类氧化物可用于将底部芯片与顶部芯片彼此键合并且实现两者之间的电气连接，诸如当实现铜(cu)混合键合时。
技术实现思路
1、芯片堆叠的部件可被配置为提供静电放电路径以及防止电弧放电事件。
2、根据一个一般方面，一种半导体器件包括：第一芯片，该第一芯片包括设置在其上的第一晶圆和第一介电层；和第二芯片，该第二芯片包括设置在其上的第二晶圆和第二介电层，该第二芯片具有背侧表面和与该背侧表面相对的前侧表面，该第二芯片在该前侧表面处键合到该第一芯片以在该第一介电层与该第二介电层之间限定键合线。该半导体器件包括：穿过该第二芯片的该背侧表面延伸到该第二介电层中的开口，以及设置在该第二晶圆与该键合线之间的该第二介电层内并且沿着平行于该键合线的方向延伸超过该
3、根据另一个一般方面，一种半导体器件包括：第一芯片，该第一芯片包括设置在其上的第一晶圆和第一介电层；和第二芯片，该第二芯片包括设置在其上第二晶圆和第二介电层，其中键合焊盘设置在该第二介电层内，该第二芯片具有背侧表面和与该背侧表面相对的前侧表面，并且在该前侧表面处键合到该第一芯片以在该第一介电层与该第二介电层之间限定键合线。该半导体器件还包括穿过该第二芯片的该背侧表面并且穿过该第二晶圆的开口，该开口延伸到该第二介电层中以便仅暴露该键合焊盘的上表面的一部分以用于与之电连接。
4、根据另一个一般方面，一种制造半导体器件的包括：形成第一芯片，该第一芯片包括设置在其上的第一晶圆和第一介电层；在第二芯片的第二晶圆上形成第二介电层；以及在该第二介电层内形成键合焊盘。该方法还包括将该第二芯片的前侧表面键合到该第一芯片以限定该第一介电层与该第二介电层之间的键合线，以及穿过该第二芯片的背侧表面蚀刻开口，该开口延伸穿过该第二晶圆并且延伸到该第二介电层中到达该键合焊盘，以用于与之电连接。
5、一个或多个具体实施的细节在附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。
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1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
7.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
8.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括与所述第二晶圆接触的管芯密封件接地触点。
9.一种制作半导体器件的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：
11.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
5.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
6.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·P·冈比诺，D·T·普莱斯，M·A·苏弗里德格，R·莫里兹森，J·J·斯特弗斯，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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