【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例总体涉及电子电路领域，更具体地，涉及存储器件及其制作方法。
技术介绍
1、由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的组件集成到给定区域中。
技术实现思路
1、本专利技术的一实施例提供了一种存储器件，包括：多个存储器阵列，每个存储器阵列均包含多个存储单元，所述多个存储单元分别形成在衬底上方的多个金属化层的相应金属化层中；多个第一感测放大器，所述多个第一感测放大器中的每个以及所述多个存储器阵列的相应存储器阵列形成在所述多个金属化层的相应金属化层中；以及多个多路复用器，所述多个多路复用器的每个、所述多个存储器阵列的相应存储器阵列和所述多个第一感测放大器的相应第一感测放大器形成在所述多个金属化层的相应金属化层中。
2、本专利技术的另一实施例提供了一种存储器件，包括：第一存储器阵列，包括多个第一存储单元，所述第一存储单元设置在多个金属化层的第一金属化层中，所述多个金属化层设置在衬底上方；第一感测放大器，也设置在所述第一金属化层中，并且被配置为感测分别存储在沿所述第一存储器阵列的至少一列排列的所述第一存储单元的子集中的第一数据位；以及第一多路复用器，也设置在所述第一金属化层中，并且被配置为在接收到指示所述第一金属化层的第一控制信号时将所述第一感测数据位提供给共同共同放大器，其中，共同所述共同放大器沿着所述衬底的主表面形成。
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【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个多路复用器中的每个和所述相应第一感测放大器彼此耦合，并且形成在所述多个金属化层中的所述相应金属化层的边界区域中。
3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
4.一种存储器件，包括：
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一感测放大器和所述第一多路复用器彼此耦合且设置在所述第一金属化层的边界区域中。
6.根据权利要求4所述的存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第二感测放大器和所述第二多路复用器彼此耦合且设置在所述第二金属化层的边界区域中。
8.一种制造存储器件的方法，包括：
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述多个多路复用器中的每个和所述相应第一感测放大器彼此耦合，并且形成在所述多个金属化层中的所述相应金属化层的边界区域中。
3.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
4.一种存储器件，包括：
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述第一感测放大器和所述第一多路复用器彼此耦...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗棋，刘逸青，王奕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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