【技术实现步骤摘要】
本揭示内容是关于一种像素感测器阵列。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)影像感测器可包含多个像素感测器。cmos影像感测器的像素感测器可包含转移晶体管，此转移晶体管可包含用以将入射光的光子转换成电子的光电流的光二极管及用以控制光二极管与漏极区之间的光电流的流动的转移门。漏极区可用以接收光电流，使得光电流可经量测及/或转移至cmos影像感测器的其他区域。
技术实现思路
1、本揭示内容提供一种像素感测器阵列。此像素感测器阵列包括排列成网格状的多个像素感测器、在像素感测器阵列的俯视图中环绕像素感测器的深沟槽隔离结构及位于深沟槽隔离结构下方的飞行时间感测器电路。
2、本揭示内容提供一种像素感测器阵列。此像素感测器阵列包括排列成网格状的多个像素感测器、在像素感测器阵列的俯视图中环绕像素感测器的深沟槽隔离结构及位于深沟槽隔离结构下方的飞行时间感测器电路。飞行时间感测器电路包括控制栅极及漏门。漏门的俯...
【技术保护点】
1.一种像素感测器阵列，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的像素感测器阵列，其特征在于，其中该飞行时间感测器电路包括：
3.如权利要求2所述的像素感测器阵列，其特征在于，其中该第一侧及该第二侧是该像素感测器的多个第一相对侧；且
4.如权利要求2所述的像素感测器阵列，其特征在于，其中该第一侧及该第二侧是该像素感测器的多个第一邻近侧；且
5.如权利要求1所述的像素感测器阵列，其特征在于，其中该深沟槽隔离结构环绕所述多个像素感测器中的每一者的多个子区；且
6.一种像素感测器阵列，其特征在于，包括：
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