半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术抑制半导体装置的基极层与载流子蓄积层之间的接合的深度及浓度的偏差。半导体装置具备：第一导电型的源极层(13)，其位于半导体层的表层部，由第一杂质的浓度分布规定；第二导电型的基极层(15)，其位于源极层(13)的下侧，由第二杂质的浓度分布规定；第一导电型的载流子蓄积层(2)，其位于基极层(15)的下侧，由第三杂质的浓度分布规定；第一导电型的漂移层(1)，其位于载流子蓄积层(2)的下侧；以及第二导电型的CSC层(50)，其由第四杂质的浓度分布规定。CSC层(50)的第四杂质的含有区域包括：基极层(15)的第二杂质的含有区域与载流子蓄积层(2)的第三杂质的含有区域重叠的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、例如，在下述的专利文献1中公开了一种为了减少igbt的阈值电压(vth)的偏差而将igbt的p型基极层以及n型载流子蓄积层分别设计为具有杂质浓度的峰值的技术。

2、专利文献1：日本特开2008-205015号公报

3、在专利文献1的igbt中，p型基极层及n型载流子蓄积层的杂质峰值浓度稳定，因此平稳的阈值电压的偏差变小。但是在n+型源极层与p型基极层之间的接合、以及p型基极层与n型载流子蓄积层之间的接合处产生深度、浓度的偏差。在该情况下，在开关的过渡状态下，在杂质浓度低的部位无法切断电流，使破坏耐量降低、或者由于局部的载流子分布的偏差而产生电流的集中、破坏耐量降低。其结果，半导体装置的反向偏置安全动作区域(rbsoa：reverse bias safe operating area)减小。

技术实现思路

1、本专利技术是为了解决以上那样的课题所做出的，目的在于抑制半导体装置的基极层与载流子蓄积层之间的接合的深度及浓度的偏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，p>

10.根据...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井秀纪，曾根田真也，松下幸生，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：