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本发明抑制半导体装置的基极层与载流子蓄积层之间的接合的深度及浓度的偏差。半导体装置具备：第一导电型的源极层(13)，其位于半导体层的表层部，由第一杂质的浓度分布规定；第二导电型的基极层(15)，其位于源极层(13)的下侧，由第二杂质的浓度分...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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