【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及具有包括水平延伸部分和竖直延伸部分的源极接触层的三维半导体器件及其形成方法。
技术介绍
1、在t.endoh等人的名称为“novel ultra high density memory with a stacked-surrounding gate transistor(s-sgt)structured cell(具有堆叠环绕栅极晶体管(s-sgt)结构单元的新型超高密度存储器)”，iedm会议录(2001年)第33至36页的文章中公开了每单元具有一位的三维竖直nand串。
技术实现思路
1、根据本公开的一个方面，提供了一种存储器设备，该存储器设备包括源极级材料层，该源极级材料层包括堆叠，该堆叠包括下部源极级半导体层、源极接触层和上部源极级半导体层；绝缘层和导电层的交替堆叠，所述交替堆叠位于所述源极级材料层上方；存储器开口，所述存储器开口竖直延伸穿过所述交替堆叠并且进入所述源极级材料层的上部部分中；以及存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位...
【技术保护点】
1.一种存储器设备，所述存储器设备包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分包括覆盖所述水平延伸部分的上部圆柱形侧壁和位于所述水平延伸部分下面的下部圆柱形侧壁。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述上部圆柱形侧壁的上部周边与所述平坦环形表面的所述外周边重合。
5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述上部圆柱形侧壁及所述下部圆柱形侧壁竖直重合。
6.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分包...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储器设备，所述存储器设备包括：
2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：
3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分包括覆盖所述水平延伸部分的上部圆柱形侧壁和位于所述水平延伸部分下面的下部圆柱形侧壁。
4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述上部圆柱形侧壁的上部周边与所述平坦环形表面的所述外周边重合。
5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述上部圆柱形侧壁及所述下部圆柱形侧壁竖直重合。
6.根据权利要求3所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分包括竖直凸形锥形侧壁，所述竖直凸形锥形侧壁邻接所述下部圆柱形侧壁的底部周边，使得所述竖直延伸部分的横向范围随着在包括所述下部圆柱形侧壁的所述底部周边的水平平面下方距所述交替堆叠的向下距离而减小。
7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分的顶表面在包括所述最底部绝缘层的底表面的水平平面处或上方接触所述存储器膜的底表面。
8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述源极接触层的所述竖直延伸部分的外圆柱形侧壁从所述竖直半导体沟道横向偏移大于所述存储器膜的厚度的横向偏移...
【专利技术属性】
技术研发人员：津美正三里，田中宏幸，铃木亮太，大部智行，
申请(专利权)人：桑迪士克科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。