半导体装置制造方法及图纸

高电压晶体管可以包括多个源极/漏极区、栅极结构和栅极氧化物层，使得栅极结构能够选择性地控制多个源极/漏极区之间的通道区。栅极氧化物层可以朝向多个源极/漏极区中的一个或多个横向向外延伸，使得栅极氧化物层的至少部分不在栅极结构下。从栅极结构下方横向向外延伸的栅极氧化物层使得栅极氧化物层能够用作形成高电压晶体管的多个源极/漏极区的自对准结构。具体地，从栅极结构下横向向外延伸的栅极氧化物层使得栅极氧化物层能够在形成多个源极/漏极区时无需使用额外的植入掩模的情况下，用于在与栅极结构较大的间隔处形成多个源极/漏极区。

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施例涉及半导体装置。

技术介绍

1、高电压晶体管包括被配置为相对于其他类型的晶体管在高电压(例如，高栅极电压、高漏极电压)下操作的晶体管。高电压晶体管可以被包括在电平转换器电路(levelshifter circuit)、发电电路(power generation circuit)和/或其他类型的高电压电路中。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种半导体装置，包括第一掺杂区，包含第一掺杂剂类型，在所述半导体装置的衬底中；第二掺杂区，包含第二掺杂剂类型，在所述衬底中并邻近所述第一掺杂区；所述半导体装置中包括的高电压晶体管结构的第一源极/漏极区，包括所述衬底中的所述第二掺杂剂类型；所述高电压晶体管结构的第二源极/漏极区，包括在所述衬底上且所述第二掺杂区中的所述第二掺杂剂类型；所述高电压晶体管结构的栅极结构，在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间；以及所述高电压晶体管结构的栅极氧化物层，在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间，其中所述栅极氧化物层的第一部分在所述栅极结构下并且在所述栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层的所述第二部分至少部分地包括在所述第二掺杂区的部分上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层的所述第一部分至少部分地在所述第二掺杂区上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层包括横向向外延伸超过所述栅极结构并且在所述第一源极/漏极区和所述栅极氧化物层的所述第一部分之间的第三部分。

6.根据权利要求5所述的半导体装置...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层的所述第二部分至少部分地包括在所述第二掺杂区的部分上。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层的所述第一部分至少部分地在所述第二掺杂区上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极氧化物层包括横向向外延伸超过所述栅极结构并且在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林国树，洪展羽，陈斐筠，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：